【2019/08/08】蘋果Face ID臉部辨識的關鍵VCSEL大解密！三星128層NAND關鍵技術！

[@500tails]

想問曲老師，依照 14:59邊射型它的結構 場型出來依照傅立葉遠場繞射來看應該是上下長左右短的橢圓，圖是不是畫反了？

[@Ansforce]

是的，邊射型雷射的近場的橢圓是左右長，遠場的橢圓是上下長，當年畫這個圖講的是光纖通訊，所以談的是近場入射光纖時的情況，我的圖畫得距離很長看起來像是在畫遠場，的確可能會讓大家誤會，我再想想要怎麼改比較好，謝謝你提醒我唷！

[@yi_huimeng1936]

就像演算法中的P920問題跟NP862問題 找共同解法

[@alexq7198]

非常棒

[@lilyho4950]

請問face ID 辨識會取代指紋辨識嗎？

[@Ansforce]

我覺得不會完全取代，因為FaceID複雜度高，手機前方要瀏海來放那些光學模組，很難解決這個問題，你看iPhone12還是有那個黑黑的瀏海，真的是可惜，所以FaceID我個人是不喜歡啦！

[@lilyho4950]

@@Ansforce 謝謝您，真博士！

[@izzie6424]

@@Ansforce 各自有合適的使用場合，但…用戶買了手機就無法選擇了，只能適應。

[@oceanblue9751]

想請曲博介紹一下第二代半導體材料InP, 主要應用為何, 他的加工方式和GaAs有什麼不一樣呢? 特性是什麼?謝謝曲博

[@500tails]

字節跟電池 好好笑😆

[@vulvmp]

想知道3nm下用GAA，它的量子井駐波效應對MOS的影響。是不是加入其他材料比較好解

[@Ansforce]

今天晚上科技問答可以來介紹一下，不過量子井駐波效應的影響應該是要到量子等級的材料尺寸，3奈米應該還不明顯，3奈米影響大的量子效應是光學曝光系統的光子產生的，你在那裡有看到說GAA會受到量子井駐波效應的影響嗎？如果有的話我想參考一下，謝囉！

[@vulvmp]

@@Ansforce 看bandgap diagram , 較大尺寸 有surface current, but 2nm (well is very thin)若有quantum well channel則電流集中在channel中間.... (by 正被半導體物理荼毒的人)

[@Ansforce]

@@vulvmp 謝謝你提供的資訊。