Обязательно к просмотру! Все, что нужно знать про IGBT транзисторы (Ака Касьян)

[@ДмитрийНиколаевич-п8о]

Не всем дано так излагать технологии! Класс. Спасибо за труды.

[@Zif59]

Вспомнилось как впервые увидел igbt модул)))мы решили тогда что это тиристорная сборка и заменили его советскими транзисторами)) был хороший фейерверк))

[@електронік-и5ч]

Не люблю букву з

[@AlexXoxol333]

Нет Z-нацизму!

[@StalkerFromSouth]

​@@AlexXoxol333Это пишет тот, в чьей стране стоят памятники Бандере?

[@AlexXoxol333]

@@StalkerFromSouth ахах, так Бандера молодец, он сражался с двумя усатыми фашистами - коричневым гитлером и красным сталиным!

[@AlexXoxol333]

@@StalkerFromSouth нацик руzzкий, Бандера борец с гитлеровским и сталинским фашизмом!

[@ВилиамРит]

Про новые сверхмощные GAN транзисторы и блоки питания на их основе тоже интересно

[@Бесёнокпротив]

Старая технология на новом типе полупроводника В них тоже косяков не мало особенно на управление 💁 очень прожорливый

[@polikpoj6832]

Спасибо тебе большое! Очень очень прям очень интересно было смотреть и слушать!!! Правда я редко пишу коменты и выражаю свое мнение, но это очень полезно. Я думаю многие тебе благодарны и как минимум я буду очень рад если ты и дальше будешь продолжать снимать подобные обучающие видео. Это правда очень полезно. Очень приятно понимать что есть ещё люди которые готовы рассказывать о таком а не просто плясать и страдать сами знаете чем. Спасибо тебе большое человек с большой буквы)

[@antondee9726]

Моё почтение) Очень хорошо объяснили то что многие не могут и за 5 лет) Про тайминги и ёмкости и к чему ведут различные их значения-просто и понятно.

[@ИванХименко-у2ш]

Отличное видео!!! Очень много полезной информации нашел для себя! Очень даже интересны подобные обучающие видео, ведь по сути без всех этих знаний в дальнейшем будет невозможно создание каких либо самоделок и устройств. Невозможно что то хорошо собрать, если не знаешь принцип работы.

[@юрииан-б3т]

Вы правы

[@андрейФамилия-е5ф]

Подобные видео по обучению очень, очень нужны. Огромное спасибо за такой ликбез!

[@komisarskoetelo]

Посмотрел сотни видео про транзисторы, и только сейчас понял как работает коэффициент усиление и в чем главная разница между полевыми и биполярными транзисторами. Еще бы видео про способы включения (мостовой, эмиттерный повторитель и т.д.). Спасибо!!!

[@spuffik9235]

Могу скинуть лекции по радиоэлектронике. Там описаны способы включения транзисторов, и всё предельно понятно расписано :) Напишите мне свою почту, может чего полезного сможете вычитать)

[@nerdycrow6026]

​@@spuffik9235сможешь скинуть, пожалуйста?

[@ЮрийШевченко-б1ш]

Очень радует что ты умеешь так просто и сжато давать инфу по радиодеталям. Плиз - расскажи о импортных диодах - с малым временем восстановления, сверхбыстрых и подобных что стоят в импульсных и вч схемах.

[@_hanrls_955]

Отличное видео я впервые увидел такое четкое и понятное объяснение по IGBT. У меня у самого профильное образование по обслуживанию электроустановок и я написал несколько дипломов на эту тему и занимался ремонтом электроприводов, хотя сам работаю последнее время в IT. Вообщем этот одно из лучших объяснений этой темы вам в преподы нужно.

[@nat87serg]

Тема полностью не раскрыта, прчём важные аспекты как наличие динамических емкостей затвор - эмиттер, затвор коллектор и наличие смертоносного паразитного транзистора в структуте IGBT - кристала.

[@origamitosupportISIL]

Отличное видео, как и все остальные. Держи планку по выпуску видео в том же режиме, даже в такое нелёгкое время. Удачи.

[@Rin__Okumura]

тфу мля! и тут гейпропоганда! сейчас сообщу, пусть арестуют

[@March19571]

@@Rin__Okumura путю арештуй..)))))

[@eugenex8892]

Четкое видео! Редко лайки тыкаю, но тут полностью заслуженно!

[@torteck]

Огромное спасибо такое обширное и понятное видео, всё же есть в этом мире люди, которые делают полезные видео ради помощи людям, а не только из-за просмотров!

[@денкатышев]

Отличнейший урок... Превосходная,бесценная мысль пришла вам в голову о видео!!!!! Огромное спасибо вам за труды

[@akakasyan]

Вам спасибо за отзыв, рад, что понравилось.

[@dvulichie9589]

Как же вовремя вышло это видео, как раз собрал БП на igbt

[@G-P_H-T]

Оно как хрестоматия или ежедневная молитва электронщика, всегда уместно к повтору познания😉

[@НиколайКырцыка]

Очень толково объяснил.Молодец! От себя хотел бы заметить что впервые пришлось поработать с такими транзисторами еще до производства их кампанией IRF Назывались те транзисторы КП926.. Экспериментальная серия их была выпущена в городе Омске. Помнится автор их разработки жаловался мне что уже лет десять бегал по московским кабинетам с опытными образцами,пытаясь внедрить их в производство. Вот и думаю теперь: то ли у него приоритет,то ли его обокрали московские проходимцы и продали,то ли IRF придумала их независимо...

[@zerber1150]

Да уж... по части отфутболивания наши руководители всегда были впереди планеты всей. Не смешно

[@marx921]

Обучающие ролики очень нужны, особенно в таком развернутом виде. Иногда в какие-то нюансы очень не просто вникнуть, и такую, разложенную по полочкам информацию, днём с огнём иногда не найдешь. Спасибо. На такой контент всегда найдется своя аудитория.

[@ВиталийФедос-ч8ж]

Автору огромнейшее спасибо !!!

[@Aleksiy_kokushkow]

Видео супер. Все хотел узнать о igbt транзисторах подробнее. Объясняешь все четко и понятно, нет "воды". Спасибо большое за контент

[@Alex179ae]

Прекрасное видео, вот так сразу рассказать про два типа транзисторов....Спасибо

[@elmedvedo8167]

Все очень понятно и максимально информативно. Спасибо вам огромное 👍

[@hardrive070187]

ОГРОМНОЕ СПАСИБО! Всё разложили по полочкам в моей голове.

[@ВалераХоменко-м3ы]

Снимаю шляпу !!!! Так разбираться в транзисторах не каждому академику под силу !!! Респект !!!👍👍👍

[@nat87serg]

Ну скажем не только про полочку не рассказали! А об уникальности данного шедевра к защёлкиванию благодаря паразитному транзистору в структуре кристала. А так же по уникальность всё той же ёмкости Миллера. И то что все паразитные ёмкости с динамической ёмкостью. Это уникальный полупровдниковый элемент способный к возбуждению на частотах порядка 15 мГц. в силовых модулях порядка 450 Ампер в параллельном включении в опредёлённых условиях!

[@kolya1417]

Не пишу коменты,не ставлю лайки. Смотрю давно Вас! И обучающие ролики самые лучшие,работаю автоэлектриком. Много чего нового черпнул!!!

[@akakasyan]

спасибо

[@MoishaMoishavich]

Добрый день. Подача материала высокопрофессиональна. Трудно найти сегодня что то подобное. Спасибо. Автору успехов

[@akakasyan]

Спасибо вам большое, оч приятно

[@akakasyan]

Спасибо вам большое, оч приятно

[@user-sssr78]

Хорошо рассказанно, надо было дополнить в конце как отличить подделку плохого качества IGBT от оригинала . А так молодец.

[@ПашаШестаков-ю1х]

Как всегда просто и понятно! Супер! )))

[@МарсельИсляев]

Очень полезное видео, спасибо большое Вам!!! Легко и доступно рассказал, молодец!!!

[@realmang]

Каналу нельзя отказываться от образовательной составляющей, мне кажется. Так что спасибо и успехов!

[@qwerty-pe3vs]

Спасибо за видео ! Никогда не интересовался такими из за отсутствия их в моей жизни , даже частотник в гараже для гриндера на 1500ватт на полевиках сделан )

[@migratorybird3625]

Очень хорошее видео. Полезно для начинающих электронщиков.

[@Rus-j5u]

Обучающие видео это вообще лучшее что есть на Ютуб.

[@ДмитрийПетров-ц1в]

Ну где и на каком канале вы ещё услышите такую информацию? Разжевано настолько грамотн0!!!.

[@staplton___7]

Очень качественный контент! Без электронов, а главное без дырок, и прочнц лишнец музыки. Благодаргость за труд, и комментариц в поддержку канала 👍

[@ИванМиронов-е7н]

Хорошая подача материала. Единственная странность - в изображении входной емкости полевого транзистора. Входная емкость существует между истоком и затвором. Стало быть относительно управления она прикладывается в параллель, но никак не последовательно.

[@nat87serg]

Для источника зарядовой цепи управления (драйвера) она последовательно вкючена. Так что ошибки нет.

[@ИванМиронов-е7н]

@@nat87serg Дыыы что вы говорите? Емкость присутствующая между истоком и затвором (входная) оказывается последовательной относительно затвора... Это судя по сюжету. Ну ни фига себе - нет ошибки. Если уж быть дотошными, то заряд емкости происходит последовательно (как и любого конденсатора), но разряд осуществляется между двумя выводами емкости. То есть - затвор тупо соединяется с истоком. И никак последовательным такое воздействие быть не может. Емкость исток-затвор не перезаряжается, а закорачивается. А если учитывать более низкую скорость закрывания описанного транзистора, то быстрый разряд очень важен. В биполярных транзисторах именно такое свойство отчетливо наблюдается. И это свойство наиболее сильно проявилось из-за присутствия в данном гибриде именно биполярника.

[@ИванМиронов-е7н]

@@nat87serg Да и забыл. В моем начальном утверждении написано, что входная емкость прикладывается к выходной цепи в параллель. Если выходом считать точку связи с затвором и точку связи с истоком, то именно так и выходит.

[@konstantins9119]

Шикарные ролики, много полезной информации. Но в данном видео есть неточности, о которых просто нельзя не упомянуть. Это касается сравнения статических потерь на MOSFET и на IGBT. Мощность выделяемая на MOSFET: P=i2*R - протекающий ток в квадрате надо умножить на сопротивление открытого канала. Мощность, выделяемая на IGBT: P=U*I - напряжение насыщения коллектор-эмитер умноженное на ток коллектора. Так вот, это может показаться неочевидным, но если посчитать мощность для типичных представителей этих транзисторов примерно одного класса по формулам, то получится, что в режиме больших (или номинальных) токов на IGBT падает меньшая мощность. Отсюда и основное достоинство IGBT - способность работать на ощутимо больших токах, чем MOSFET. Это определяется именно меньшими потерями в открытом состоянии ключа. Так же это можно объяснить тем, что MOSFET - униполярный прибор - проводимость канала обеспечивается электронами, а IGBT биполярный прибор - в проводимости участвуют как электроны, так и дырки (тоже электроны, но в валентной зоне). MOSFET превосходит IGBT практически во всём, кроме больших токов и способности выдерживать большое напряжение. IGBT медленнее и имеют бОльшие потери на переключение, поэтому на слишком высоких частотах не используются.

[@aleksandragafonov7669]

Супер интересный и познавательный ролик, перечинил кучу техники включая сварочники но таких подробностей не знал.👍👍👍

[@primerior]

Очень полезный материал. Много нового узнал! Спасибо, Касьян! Сотри Вас уже несколько лет

[@msadbasdas7655]

Спасибо за подробный ликбез! Чем-то советские обучалки-документалки подачей напомнило). Много сталкиваюсь с ПЧ, и каждый раз "интересно, что за транзисторы, надо почитать!", но всё никак. А тут прямо в тему)))

[@TryAga1n_]

Шикарное видео. Было интересно послушать того кто применяет такие приборы на практике. Работаю на предприятии, которое производит IGBT как в виде силовых модулей, так и в дискретных корпусах. Интересно было бы ещё узнать о нюансах применения, т.к. у тебя большой опыт именно с готовыми схемами, чтобы понять на что больше обращать внимание. Сами модули испытать та ещё задачка, но это все равно остается идеальным испытанием в вакууме, за исключением разве что устойчивости к импульсу двойного переключения, обычно все замечания уже получаем от людей, которые применяет наши модули в готовых схемах.

[@kolpakov6919]

Где бы их только увидеть в продаже, ваши транзисторы .... хоть по какой-нибудь цене, не говорю про вменяемую

[@Андрей832-н1з]

Спасибо что делитесь такой информацией, не бросайте обучающие видео, они очень нужны!

[@S_y_r_a_x]

Классное видео! Сразу понял то, чему учили несколько лет в колледже :-)

[@ЮРИЙНЕБАС]

Классное видео. Можно даже сделать отдельную рубрику с периодическими обучалками.

[@СерожФильдманян]

В очередной раз познавательная лекция. Благодарность автору!

[@Злойенот-я1д]

Спасибо! Хорошо разжёвано, сохраню себе. А можно такое же видео про JFET (почему у него затвор изображён в виде истока, со стрелочкой) и чем они отличаются от тех же MOSFET-ов?

[@ДмитрийТолстокоров-е4щ]

Jfet раньше применялись в аналоговых схемах, сейчас не встречаются. Там канал изолируется не оксидом, а обратно смещённым (закрытым) pn-переходом.

[@electronichobby8757]

Спасибо за познавательное видео. Давно искал что-то про IGBT, а тут новое видео

[@SE-CHEN]

Спасибо! Мне интересно всегда смотреть и слушать и для меня большая часть сложного много но интересного. Всех благ!

[@user-vita1977]

Спасибо, я для себя нашла очень много полезной, а главное, понятной информации. Умеете вы понятно объяснять.

[@akakasyan]

Спасибо большое, особенно приятно, когда женщина увлекается таким с первого взгляда не женским делом.

[@inflamerss]

Спасибо. Как всегда в топе просветительской деятельности в сети. Один из наиболее полных роликов по теме, браво.

[@Akadem_birds]

Развёрнуто, детально и не скучно. Молодец!

[@Linwega]

Отлично изложено! Лет десять назад, такой видосик сэкономил бы мне много сил и времени. Но вот разобранного модуля в кадре не хватает. Компаунд очень часто прозрачный (непрозрачный вообще видел пару раз всего), так что было бы неплохо заглянуть. Кристаллики выглядят прикольно и ниточки, которыми кристалл соединен с шинами - тоже. Смотришь на такое и удивляешься, как оно все не выгорает на таких токах)

[@vvdvlas8397]

Еще как выгорает. "ниточки" - алюминиевые.

[@avvalyaev]

Большое спасибо. Предельно информативно и без лишней "воды".

[@МагомедАли-ж9л]

Просто уши отдыхают от знакомых слов и терминов из далекого детствв и юности😊

[@MrNemo84007]

Спасибо вам за ваш труд! Это видео ваш шедевр! Всё чётко без лишней воды.

[@impuls-e]

Отличное видео и считаю во многом познавательное, ведь подобных обзоров практически нигде нет, так держать дальше!!!

[@sergejoyce1432]

Лайк за кадры транзистора: то в травке, то на дереве) А если срьезно, то видео отличное, обучающие самые ценные, но видимо массы любят "хлеб и зрелище". Большое спасибо и будь здоров!

[@СергейСеливоник-о4к]

В радиоэлектронике не последний человек, но про данные транзисторы не слышал(не сталкивался потому что,наверное). Всё понял,в ячейке памяти отложилось. Спасибо!

[@Alexnomomo]

Очень интересно и, даже, понятно, теперь бы по ШИМ также, и я имею в виду принцип работы микросхем, а не в общем.

[@ЛюбовьБарановская-з7р]

Молодчаги спасибо🙏💕🙏💕 за информацию👏👏👏👏👏

[@YanYasnyi]

Отличное видео и объяснение. Знаю это всё, но слушал с удовольствием.

[@antonGoldinov]

Не знаю как другие, а мне нравится. Повторение мать учения..

[@crazyredkangaroo]

самое доступное объяснение об особенностях разных типов транзисторов! спасибо большое!

[@user-shurik-jav]

Спасибо за доходчивое объяснение материала. Так держать!

[@osarostov]

Потрясающее видео! Огромное человеческое спасибо!

[@Olezhok1979]

От души всей спасибо за труды!!! 👍🤝🤝🤝

[@dmitrygavrovsky5938]

Да не отличное видео, а просто офигенное! Да сразу по всем видам транзисторов. Не хватило мне чуть чуть теории по переходам, Вики помогла;)

[@Mr_McAlex]

Класс! Отличный учебный материал! Великолепная работа! 👍

[@SV-qh8fl]

Блин, а у меня таких 4 шт. валяется. Вот только даже внимания не обращал, а выкинуть жалко было. Спасибо автору ! Теперь буду знать, что точно пригодятся

[@DenisShaver]

Шикарный ролик, очень познавательно! Много нового узнал и главное, доступным языком.

[@co7040]

Спасибо за понятное объяснение

[@radionl68]

Спасибо за Ваши труд. Всегда полезная информация.

[@АлексейГузанов-ы8п]

Благодарю за данное видео лично я ищу как раз образовательные видео, по этому помогу чем смогу!!!

[@sanjafreigeist9270]

Салют :) Тут можно добавить что при включении мосфетов паралельно, падение напряжения открытого канала будет уменьшатся. У IGBT транзисторов, сколькобы в паралель не подключай, падение напряжения будет всегда одним и темже. Это к тому чтобы допустим уменьшить нагрев ключей, чтобы не использовать здаровых радиаторов мы можем запаралелить мосфеты, а вот с IGBT такая схема не прокатит.

[@vvdvlas8397]

Потому его и называют "биполярный".

[@YarikCA]

Повторение мать учения! ☝️ Спасибо друже 🤝

[@sergeymishchenko9596]

IGBT ключи в мощных приложениях с напряжениями от 300В имеют преимущество над полевиками. Первое - область безопасной работы IGBT шире MOS-фетов, Второе - если пересчитать падение на MOS-FET ключе при токе например 20 А с рабочим напряжением например 500В, то окажется что IGBT ключ будет иметь меньшее падение. И последнее - у IGBT не наблюдается Миллеровская полка по затвору - меньше звона. Единственный недостаток IGBT - очень быстрые сильно дороже, да и за встроенные диоды надо доплачивать.

[@ДмитрийТолстокоров-е4щ]

При больших напряжениях даже пассивное выпрямление на диодах становится эффективнее синхронного на полевых транзисторах.

[@vvdvlas8397]

Там тоже есть "Миллеровская полка". Размер может отличаться. Опять же из-за пониженных характеристи переключения.

[@rasimbot]

Это если сравнивать с кремниевыми мосфетами. Если отбросить фактор стоимости, то в сегменте 500V-20A SiC-мосфеты превосходят IGBT на голову. Еще есть GaN-мосфеты

[@ПетляГистерезиса-т2б]

Отличное видео, многим, я думаю, будет полезно видео про операционный усилитель, так как это не менее распространенный элемент в схемотехнике, чем транзистор

[@valentinsavchuk7807]

Хочу видеть про операционные усилители с цифровым управлением, внутренними опорными источниками и гальванически развязаным внутренним питанием( с их помощью отслеживают падение на токовом резисторе IGBT ключей).

[@micromaster4405]

@@valentinsavchuk7807 по моему для таких целей как измерение падения напряжения обычный гальванически развязанный операционник подойдёт, типа ACPL-7800, ACPL-C79, что-то от TI и прочие

[@krypton1886]

@@micromaster4405, для измерения падения напряжения на шунте есть специализированные ацп для шунтов, с встроенным операционником и шлю

[@micromaster4405]

@@krypton1886 возможно, однако и цена у них наверняка соответствующая, и вряд-ли меньше обычного ACPL-C79 или ему подобных

[@krypton1886]

@@micromaster4405, скорее всего в этом вы таки правы

[@СергейЖилинский-щ7г]

Как всегда все интересно. Удачи в делах

[@nisy8803]

Ожидаем концовку по шкафу!

[@donikishmuhamedov2982]

Жду тоже этот шефанер 😂

[@viktorbabay2905]

Автору спасибо за интересный ролик!!! Люди, может кто расскажет, что за транзистор 313, производства СССР 1959 года? Сегодня, роясь в ящике с деталями, обнаружил пару таких транзисторов. Они похожи на П202, но верх крышки плоский, как у П4БЭ. И никакой буквы "П" у него нет. Кто знает, пожалуйста, расскажите, может это не только мне будет интересно. Гугл про него ничего не смог рассказать...

[@ytneytne9546]

Очень мощная подача материала Спасибо за ваши труды!

[@ahtungs6274]

Дядька самое важное забыл рассказать про транзисторы. Это емкость между К-Э. У полевых она значительно выше (И-С). Если использовать полевики в схеме полумост в импульсном блоке питания, то без радиатора даже в холостом режиме они могут сгореть, так как пока один транзистор закрыт в нем остается заряд, и когда открывается другой транзистор, он начинает работать на эту емкость, и кратковременно импульсный ток достигает огромных значений.

[@vvdvlas8397]

Такой ток может быть и не от этой емкости, а от качества обратных диодов. Они должны иметь минимальное время "рассасывания", а это сложная задача. Кроме того, ток "рассасывания" для диода ограничен и превышение его черевато пробоем. Поэтому затворный резистор выбирают из компромиса - избегаем слишком быстрого включения полевика для избежания большого тока "рассасывания" в оппозитном ключе / потери на коммутацию. Этот компромис имеет экстремум минимальной мощности потерь при определенном значении затворного резистора. Все мною сказанное характерно для индуктивной нагрузки, когда обратные диоды активно используются.

[@ikollikoll9099]

Здравствуйте. Предложение для следующего цикла. Самоделки на основе сварочных инверторов (мощный регулируемый БП, индукционный нагреватель и т.д.)

[@ЛюкСковородкин-д6ъ]

Не-не, братан. Обучающие очень нужны. Сам вспоминаю и оболтусов по твоим видосам учу

[@akakasyan]

Спасибо, очень приятно.

[@ВладимирСитников-г7х]

Лет 15 назад работал с частотниками. Многих производителей (называть не буду - реклама или антиреклама). Тогда это были пионеры в нашей промышленности. Так что нам не нравилось - силовые модули были выполнены в едином блоке - входной мост (1-но или 3-х фазный, в зависимости от исполнения), выходные силовые ключи с оптодрайверами. Совершенно не ремонтопригодно! Иногда ремонт бывал удачным, если в платах управления были проблемы :smd предохранители, транзисторы, операционники и т. п.

[@vvdvlas8397]

Так что, не ремонтировали?

[@isclean69]

спасибо, информация явно будет познавательная для начинающих и незнающих, особенно с таким объяснением, я же в свою очередь, лишний раз освежил память

[@tr1gan390]

Я рад что подписался, много интересного, пытаюсь повторять схемы и изучать, правда не всегда работают с 1 раза 😁

[@ПавелАкимов-ю8р]

Класс!!! Всё здорово рассказал👍, теперь точно свой сварочник доделаю. ( Если блок управления одолею...😆)

[@vvdvlas8397]

Не не. Надо еще почитать AN на транзисторы и силовые схемы.

[@mizerybear1370]

Может это и не выгодно, но очень познавательно. Продолжайте. Смотрю все видео.

[@AleksandrKorotkov111]

Хотелось бы увидеть какую-то самоделки на основе IGBT

[@vl-ir7675]

Сделайте обзор на разобранный модуль IGBT. Там много интересного - что за гель-наполнитель внутри, из чего сделаны тончайшие проводники, что выдерживают огромные токи. Да и сам миниатюрный кристаллик IGBT интересен там.

[@66vds]

Отличное видео, только ёмкость затвора на схеме следовало изобразить не как последовательный с источником конденсатор, а как параллельный затвору.

[@G-P_H-T]

Транзюки, это всегда важно! Всё на этих трудягах сейчас работает.

[@ИгорьВикторович-н6о]

Очень познавательно и доходчиво! Спасибо огромное!

[@electrogeorge6269]

Отличное объяснение! Было-бы интересно посмотреть твоё видео как можно управлять igbt.

[@Nikolka1524]

Лайк, комментарий. Делиться к сожалению не с кем

[@weldermusk8860]

Спасибо. Хотелось бы еще пару минут про драйвера для них, которые вы упоминали.

[@Теотиуакан]

Очень внимательно смотрел. И о чём то своём думал..) Хороший ролик.

[@andreytaraban2393]

Классный обзор, понял почему в преобразователе горели ижбт, отсутствие deathzone.

[@1-mark-835]

Это прекрасно. Спасибо.

[@ВасилийКеренган]

Спасибо, интересное позновательное видео, побольше таких.

[@ВаняАлександров-р7э]

Емкость затвора изображена неверно Емкость должна изображаться параллельно переходу затвор-исток. В Вашем случае емкость ведет себя как диф. цепочка, а должна быть интегрирующая.

[@akakasyan]

Емкостей в полевом на самом деле много, не только затвор исток, но и затвор сток, есть и собственная емкость затвора, для упрощения часто все это называют затворной емкостью