Diodo Schottky x Diodo Ultrarrápido | Qual usar em fontes chaveadas?

Neste vídeo você vai entender melhor o funcionamento, as características elétricas e as aplicações do diodo Schottky na eletrônica de potência.
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Materiais de apoio:
Artigo Diodo de Potência: eletronicadepotencia.com/diod...
Vídeo sobre o Diodo de Potência: • DIODO DE POTÊNCIA | Tu...
Vídeo sobre perdas no MOSFET: • O QUE NÃO TE ENSINAM S...
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Partes destacadas do vídeo:
00:00 - Apresentação
00:18 - Introdução
00:44 - Construção do Diodo Schottky
01:01 - Funcionamento do Diodo Schottky
01:50 - Polarização do Diodo Schottky
02:24 - Tensão direta e recuperação reversa
03:00 - Dissipação de potência no Schottky
04:16 - Simulação #1 - Schottky vs Ultrarrápido
07:18 - Observações sobre recuperação reversa
07:57 - Capacitância intrínseca dos Diodos
08:27 - Simulação #2 - Schottky vs Ultrarrápido
10:31 - Desvantagens do Diodo Schottky
12:03 - Novas tecnologias de Diodo Schottky
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Os diodos convencionais combinam semicondutores do tipo P e do tipo N para formarem a junção PN. Já o diodo Schottky é formado colocando-se um filme metálico em contato direto com um semicondutor tipo N. Nessa configuração, a camada metálica será o anodo e a camada semicondutora o catodo.
O princípio de funcionamento do diodo Schottky se baseia no fato de que os elétrons em diferentes materiais possuem diferentes energias potenciais. Considerando que a energia potencial no metal é menor do que no semicondutor, haverá um fluxo de elétrons do semicondutor para o metal. Como consequência, o metal ficará carregado negativamente enquanto o semicondutor adquirirá uma carga positiva. Quando esse processo atinge o equilíbrio, surge uma região de depleção adjacente à interface, assim como no diodo de junção PN. No entanto, observe que o fenômeno em questão não envolve cargas minoritárias (as lacunas nesse caso), apenas cargas majoritárias (os elétrons). E essa é a grande diferença entre os diodos Schottky e os diodos de junção PN.
Apesar dessa diferença estrutural, o diodo Schottky possui características de retificação semelhantes às da junção PN. Em outras palavras, haverá circulação de corrente através do diodo Schottky somente quando ele for polarizado de forma direta.
As vantagens do diodo Schottky são:
► Queda de tensão direta menor que no diodo de junção PN.
► A resistência interna é menor que a do diodo de junção PN.
► Possui uma recuperação reversa muito rápida, o que permite operar em altas frequências.
► Baixa capacitância - diminui oscilações.
Já as desvantagens do diodo Schottky são:
► Tensão de bloqueio reverso menor que 250V (isso limita as aplicações)
► Corrente reversa significativamente maior que a do diodo de junção PN (pode causar instabilidade térmica)
► Temperatura máxima de operação costuma ser menor que a do diodo de junção PN
Neste vídeo, você vai entender melhor o princípio de funcionamento, as características elétricas e as aplicações do diodo Schottky na eletrônica de potência.
Espero que o conteúdo seja útil para os seus projetos.
Grande abraço,
Caio Moraes.

[@lucaszampar]

Rapaz, não sou de comentar vídeos. Mas seu canal está fantástico. Praticamente único nesse assunto no BR devido a qualidade das explicações! Parabéns!

[@fernandapatrocinio9187]

obrigada excelente

[@CarlosAntonio-rr9dm]

Otima aula ,muito obrigado.

[@CaioMoraesEP]

Valeu, Carlos. Eu que te agradeço por acompanhar o canal. Abraço

[@marcocruz263]

Show de bola

[@ProfLeandroZamaro]

Abordagem perfeita sobre tema. Parabéns.

[@CaioMoraesEP]

Muito obrigado, Prof. Leandro. Que bom que gostou

[@anselmolima5997]

Parabens, muito bom

[@CaioMoraesEP]

Obrigado, Anselmo 😀

[@TSSomensi]

Muita informação, excelente conteúdo 🤘🏾

[@CaioMoraesEP]

Valeu, manow 👊👊

[@LucasAndrade730]

Excelente aula e didática. Seus vídeos são sensacionais. Parabéns

[@CaioMoraesEP]

Valeu, Lucas. Fico feliz em saber que gostou dos vídeos

[@limalima1580]

Ótima apresentação. parabéns. faz um vídeo sobre o diodo PIN. ele tem uma queda de tensão de aproximadamente 3,5 volts. para testar, precisa de uma fonte de tensão acima de 3,5 volts. o diodo pin é usado em forno de microondas. no forno de microondas, ele recebe um tensão acima de 2.000 volts para alimentar o magnetron. seria interessante explicar a sua estrutura e funcionamento. saudações.

[@JeffersonAlmeida-gk9xp]

Acredito que esse diodo seria na mais que um conjunto de 5 a 6 diodos em série para uma maior tensão em um único emcapisulamento

[@CarlosDaniel-cb5fo]

Eletrônica, física e eletrônica de potência. Eficiência

[@luizgco3358]

sendo possível, fazer uma apresentação retificador sincro

[@CaioMoraesEP]

Ótima sugestão, Luiz. Vou anotar para vídeos futuros. Valeu

[@RafaGmod]

Conteudo fooda! Parabéns!! Você escreve roteiro? Se escrever talvez compense colocar legenda em ingles pra aumentar alcance! Qualidade global!!

[@CaioMoraesEP]

Muito obrigado, Rafa 😬 Eu escrevi roteiro em dois ou três vídeos só. O resto foi improvisando em cima dos tópicos que eu queria abordar. Mas a sua sugestão é mt boa. Vou ver o que faço a respeito. Valeuu 👊👊

[@sergiovieira3542]

Bom vídeo, gosto de suas apresentações. Tenho algumas dúvidas, posso apresenta-las ?

[@CaioMoraesEP]

Claro, Sergio. Fique a vontade para comentar aqui

[@prerupa]

se eu usar diodo schottky em antiparalelo como roda livre em um motor cc c/ escovas tem mais eficiência também ?

[@Marcelo98_Nas]

Show caio teu conteúdo e diferenciado aqui na plataforma. tenho uma duvida não esta relacionada diretamente com esse vídeo mais sim com PWM de certa forma; como calcular o dead time mínimo e o rise timer mínimo mediante a frequência de chaveamento dos mosfets de saída de uma topologia half-bridge por exemplo? obrigado!

[@CaioMoraesEP]

Muito obrigado, Marcelo. Respondendo a sua pergunta, o dead-time precisa ser grande o suficiente para garantir que um MOSFET vai bloquear antes do outro entrar em condução. Tipicamente, o atraso do bloqueio (Turn-off delay time) é bem maior que o atraso da entrada em condução (Turn-on delay time). Então, uma forma simplificada para definir o dead-time é somar o atraso de bloqueio máximo do MOSFET (td_off), com o tempo de descida (tf) mais o atraso máximo do gate-driver. Por fim, adote uma margem de 20% a 30%. Acontece que o resistor de gate influencia no tempo de chaveamento. Você pode projetá-lo considerando um rise time igual ao do data-sheet, mas o ideal é confirmar isso na prática antes de calcular o dead-time.

[@Marcelo98_Nas]

@@CaioMoraesEP Valeu caio muito obrigado pela resposta, o atraso máximo do gate driver é o Delay Matching ou oTurn-off propagation delay ??? obrigado!

[@CaioMoraesEP]

@@Marcelo98_Nas É o turn-off propagation delay. Mas essa metodologia é bem conservadora, já que considera apenas o atraso de bloqueio de um dos MOSFETs. Acontece que enquanto um atrasa para bloquear, o outro também atrasa para entrar em condução. Então daria para descontar o turn-on delay. Ficaria assim: [(Tdoff_max - Tdon_min) + (Tpd_max - Tpd_min)], onde Tpd representa o propagation delay o driver.

[@matrixexd]

Uma questão de aplicação , poder usar ele como retificador?

[@CaioMoraesEP]

Pode sim. Só se atentar aos limites de tensão reversa e corrente direta, assim como nos convencionais