[고급소자물리 | emerging device and technology | 5.1.2]

[@Ipray4U_forever]

항상 좋은 강의 감사합니다

[@sj-t6q]

마지막에 설명해주신 인버터를 만들 때 MBCFET에서 수직으로 올려서 만들 수는 없는 건가요? 가능하다면 vertical FET가 공정이 어려운데 아직도 연구되는 이유가 무엇인가요?

[@DevicePhysics]

FinFET(MBCFET)과 vertical FET 의 가장 큰 차이는 source/drain 이 위치하는 방향입니다. 당연히 FinFET 도 수직한 방향으로 쌓아서 인버터를 만들 수 있지만, 그렇게 하기 위해 소모되는 웨이퍼 면적을 고려했을 때 vertical FET 보다 장점이 없습니다. 다시 말하면, 단일 소자 공정만 생각해서는 안되고, metallization 까지 고려해서 이득을 따져봐야 합니다.

[@lllillilllil]

이번에 삼성에서 IBM과 개발한 VTFET(VerticalTransportFET)과 어떻게 다른것인가요?

[@DevicePhysics]

동일한 기술입니다. 삼성에서 이제부터 양산기술에 도입하겠다는 것으로 이해하면 됩니다.