Introduction to semiconductor technology - comparison silicon - germanium

[@orangmakan]

Das war für mich als Informationselektroniker schon starker Tobak, aber sehr interessant - komprimierte Information die mir so gute 40 Jahre gefehlt hat - hätte sie doch wenig Auswirkung auf meinen Berufsalltag gehabt. Gerade deshalb sehr spannend, die Zusammenhänge zu erfahren.

[@tvpostel]

Vielen Dank! Super erklärt. Ein Stück Technikgeschichte.

[@dariasuzuki1463]

Absolut Spitze. Erinnert mich bissel an einen Vortrag in der 9. Klasse über Dioden und Transistoren, den ich vor vielen Jahren mal gehalten hatte. Aber deine Ausführungen über die Herstellungsprozesse mit ihren Tücken usw. sowie dein Wissen finde ich einfach herausragend 👍⚡

[@SeliJue]

Top Information, danke. Jetzt weiß ich auch warum Transistoren in meiner Jugend meistens pnp Typen waren.

[@iurlc]

Schöner Einblick in die Halbleiterherstellung.

[@Nuckey2000]

schön erklärt ;)

[@tobi8496]

Gut erklärt, aber ist es einfacher Si NPN Transistoren herzustellen als PNP wie bei Germanium.

[@technikselbsterlebt]

Beim Planarverfahren macht die Schichtfolge kaum einen Unterschied. Si-Legierungstransistoren gab es kaum. Man verwendete Aluminium zur Dotierung, was dann auch wieder einen pnp-Transistor ergab. Es hängt also in erster Linie vom Herstellungsverfahren ab.

[@maikeltronic6061]

Interessant erklärt ... als Anwender bin ich jedoch seit Jahren auf SI fixiert ... Verstärker, welche ich vor Jahrzehnten auf Basis von GD120 und Co mit 1Watt-DDR-Verstärkerbausätzen erlebte, hatten den thermisch aufgebauten Reststromtod zur Folge. Nö ... nie wieder GE

[@HobMills]

Bei den immer kleiner werdenden Strukturen müssten doch auch Tunneleffekte zunehmend eine Rolle spielen, oder?

[@technikselbsterlebt]

Ja, das spielt irgendwann eine Rolle. Es ist bekannt, dass vor allem Gatestrukturen bei Feldeffekttransistoren bei einer Strukturbreite unter 7nm immer stärker vom Tunneleffekt betroffen sind.

[@Pippo.Langstrumpf]

Meddl

[@pimmelberger9967]

👍