설 명절 잘 보내시길 바랍니다. 사회에 학생들을 위해 지식을 전달하고 공헌하는 모습을 오랫동안 보고 싶은 마음이 들 정도로 존경합니다. 수업 매번 잘 따라가고 있습니다. 여러번 들어도 전혀 지겹지가 않고 늘 새롭고 신선합니다. 건강하시고 항상 🍀 행운과 복된 삶이 가득하시길 기도합니다.
@parkjaewoo510110 ай бұрын
감사합니다 선생님도 명절 잘 보내세요 ㅎㅎ 부족한 강의이지만 잘 들어 주셔서 감사합니다. 반도체에 관심있는 분들께 조금 더 정확한 지식을 전달해주어야겠다는 생각으로 시작했는데 저도 많이 배우고 참고 영상 제작한 강사분도 많이 배우고 갔으면 하는 생각입니다. 늘 관심을 가져주셔서 다시 한번 감사드려요.
@parkjaewoo510110 ай бұрын
본강의 제작시 참고한 아래 영상 6분30초부터 보시면 잘못된 설명 부분을 보실 수 있습니다. kzbin.info/www/bejne/mIeZoaicZd2lpqM
@우린어디로가나10 ай бұрын
더 큰 전기장이 가해져서 그런 모양이 나올 수 있다는건 알겠는데 더 큰 전기장이 어떻게 해서 저런 모양으로 나오게 하는지 왜 높아지는게 아니라 낮아지는지 알 수 있을까요?
@parkjaewoo510110 ай бұрын
이경우는 n+(Source)-p(body)-n+(drain)구조 즉 nMOS경우입니다. drain에 +전압이 걸린 경우로 마치 p-n 다이오드에서 n 지역에 +바이어스가 걸린 경우와 같은 역바이어스가 걸린것과 같지요. 이런 역바이어스에서는 drain쪽 에너지 준위가 낮아지게 됩니다. pn diode 역바이어스가 걸려서 n지역의 에너지 준위가 내려가고 built-in voltage가 더 깊어지는것과 같은 경우가 생깁니다. 여기에 채널 길이가 짧아지면 E=V/d 와 같이 E의 크기가 커지면서 드레인쪽 에너지 준위를 훨씬 더 끌어 내릴 수 있습니다.