Qual a diferença entre MOSFET e IGBT?

[@CaioMoraesEP]

Excelente abordagem 👏👏👏 Os semicondutores de SiC são realmente incríveis

[@EltGeral]

Verdade, e tem tanta questão que tem que ser aprendida pelo engenheiro médio, pra poder fazer bons projetos com esses componentes, que me incomoda eles não estarem recebendo muita atenção fora da academia

[@paulolemosmessias9460]

É maravilhoso teres disponibilizado essas aulas prof. Dr. Thiago.

[@EltGeral]

Obrigado Paulo

[@edymaganha33]

Professor posso usar o igbt 60n60 no lugar de mosfet 47n60?

[@luiscser8703]

Temos algum componente para frequências maiores com resistência negativa?

[@gilbertooliveira6867]

Muito bom poder contar com este compartilhamento de conhecimento que nos mantém atualizados com a evolução tecnológica.

[@robsoncardarelli5020]

Show de explicação

[@arinascimento547]

Muito legal!

[@genetecnica.]

LEGAL !! FICO AGRADECIDO

[@jorual12]

Ótimo vídeo, muito didático, parabéns.

[@leandrocosta198]

Sem dúvidas a melhor abordagem sobre o assunto.......... excelente!!! Parabéns!

[@luizfernandoreisbandeira476]

Mais uma vez, obrigado mestre. Suas explicações, sempre muito claras, ajudam bastante

[@Oceano-tz1zz]

Sensacional

[@alfredoantunespaiva9575]

Parabéns! Ótima aula, bem explicativo.

[@paulocorreia9373]

PROFESSOR,VIDEO AULA EXCELENTE,SHOW DE BOLA,ÓTIMA ABORDAGEM.

[@claudiohase296]

Muito boa sua aula !!! Bem didática e objetiva !

[@luizcarlosfernandes4955]

parabens

[@luciano10596]

boa explicação

[@luizfernandoreisbandeira476]

Mestre, gostei muito da explicação e, se for possível, gostaria que o senhor fosse mais a fundo no assunto.

[@EltGeral]

Em relação a qual parte?

[@luizfernandoreisbandeira476]

@@EltGeral sobre os Mosfets SIC e GAN

[@luizantoniohaddadrodrigues181]

Fantástico.

[@marcofelisberto8022]

Excelente explicação.

[@mestri1000]

Ótima aula! Altíssimo nível!

[@hanshoffmann4468]

Excelente video, Thiago!

[@EltGeral]

Valeu Hans

[@rafaelalencarjunior2730]

Top

[@franciscowerbesdelima1413]

Muito bom, professor. Só fiquei com uma pequena dúvida em relação ao range de frequência de aplicação dos IGBTs, pq me parecem que eles são o tipo normalmente utilizado nos inversores de frequência, onde a frequência de chaveamento supera 20 khz.

[@EltGeral]

Isso, mas a frequência de chaveamento com igbts é baixa, pode ir até uns 40kHz/60kHz apenas, pois as perdas de comutação ficam muito altas. Os MOSFETs podem trabalhar com centenas de kHz, mas o problema é a limitação de tensão, MOSFETs de silício, com capacidade de corrente razoável só chegam até 900V.

[@laertiicar]

Prof. faz um tuto do mosfet com um zener entre surse e dreno. qual a funçao e pra qe ? tem uns que contem 3 zener. um contra o outro. MOSFET EXEMPLO STW12NK95Z

[@EltGeral]

Oi, esse diodo de source-dreno na verdade funciona como o diodo parasita normal do mosfet. No caso dos zeners de gate-source eles servem para grampear a tensão e evitar que picos transitórios levem à queima do gate. Nós normalmente colocamos esses zeners externos quando construimos o circuito de acionamento de gate, o fabricante só colocou o componente pra dentro da pastilha

[@moraisscuba]

Olá amigo, em se tratando de inversoras de solda, se eu trocar os IGBTs por um de maior capacidade de corrente e fazer o mesmo com os diodos de saída, aumentaria a corrente máxima entregue pela maquina? Considerando a VCE igual a 311V. A tensão referida é os 220V da rede elétrica que após ser retificado e passa por dois capacitores de 2200µF apresenta a tensão de 311V.

[@EltGeral]

Oi, na verdade não ia fazer muita diferença. Quem determina a corrente de saída de um conversor não são as chaves usadas mas o nível de tensão de saída e impedância da carga. Se vc trocar os dispositivos da sua máquina de solda por outros de maior calibre, a única coisa que vai conseguir, além de pagar um pouco mais caro pelos componentes, é que eles vão esquentar um pouco menos para a mesma operação, mas não vai alterar a magnitude da corrente e da tensão de saída da máquina. Para aumentar o calibre de corrente da máquina pode não ser tão simples. Depende da qualidade do projeto da sua máquina, se ele tiver controle da corrente de saída, isto é, a corrente é limitada pela inteligência da máquina, teria que mexer no limite de saturação da malha de controle de corrente (além de aumentar o calibre dos seus dispositivos). Se o controle for analógico, dá até pra fazer isso, mas se for digital, esquece, por que vai ter mexer no firmware. Se a máquina não tiver esse controle, aí tem que subir a tensão de saida (nos eletrodos) e/ou reduzir a indutância de dispersão do transformador de isolamento, no primeiro caso tem que mexer no duty cycle (ou angulo de disparo) do conversor do primário do transformador e no segundo caso, é reprojetar o transformador.

[@josemariadasilvaalcobiaalcobia]

Dr. gostaria saber se posso colocar transistor 30F124 no lugar de um 1C52EZ. Muito agradeço a sua atenção.

[@EltGeral]

Não conheço esse modelo 1C52EZ

[@tommasobellone2899]

Bom dia Professor! Como identificar se é IGBT ou mosfet? Obrigado!

[@EltGeral]

Pelo código, porque olhando só encapsulamento não dá e por teste se multímetro, como o comando é semelhante, é muito difícil

[@sergiodaiana6859]

Tem Mosfet de RF ou seja rádio frequência,,,,qual ?

[@EltGeral]

@@sergiodaiana6859 cara, tem. Eu não trabalho com circuitos de RF, então não tenho muito contato com esses componentes, mas um modelo de exemplo é esse: br.mouser.com/ProductDetail/NXP-Semiconductors/AFT05MS004NT1?qs=WBUF01kN13krUbpKnCYN3g%3D%3D&mgh=1&gad_source=1&gclid=Cj0KCQjw-5y1BhC-ARIsAAM_oKmDpjYgvO-nmTb4VJ75zt4DjGOyt7mjqnbu6JO8Lvmk-6Hn3z2C9LkaAnziEALw_wcB

[@GalaxyOS]

Bom dia Thiago, você ministra curso ou treinamento para especialização nessa área? Se ministrar onde posso me inscrever, acompanho suas aulas a algum tempo e são muito boa.

[@EltGeral]

Oi, bom dia. Os únicos cursos que eu dou são na graduação e pós graduação em engenharia elétrica da UFMG. Eu sou funcionário com dedicação exclusiva, então eu não dou treinamentos ou coisa do tipo fora da universidade. De vez enm quando eu consigo organizar as minhas aulas num curso mais completo e aí eu deixo no site eltgeral.com.br, mas quando eu facço isso, eu aviso aqui tb. Hoje só tem o curso de Eletrônica Analógica Avançada.

[@GalaxyOS]

@@EltGeral entendo, eu sou engenheiro eletricista e atuo no segmento de eletrônica industrial, sou apaixonado nessa área, e gostaria de fazer uma especialização formal, e tuas aulas são tô demais

[@EltGeral]

@@GalaxyOS pois é, eu não conheço uma especialização em eletrônica industrial. Aqui em Minas tem muito de Automação Industrial, Renováveis e de Sistemas Elétricos, mas eletrônica não conheço.

[@Eng.pedroneto]

Apostaria no SiC na média tensão , mesmo assim não resolveria a questão dos circuitos para senoidal pura e trafo, já que nossos sistemas são de 11,4KV, 13,8 KV...

[@EltGeral]

Se vc pensar em um inversor de 2 níveis com certeza não daria, mas com inversores multiniveis NPC de 5 níveis, por exemplo, da pra fazer sem trafo.

[@Eng.pedroneto]

@@EltGeral então é provável que sejam empregados para essas faixas de tensões . Motores de.inducao de alta potência vem substituindo os motores sincronos e cc graças ao avanço da eletrônica de potência. Com isso fica ainda mais praticável

[@lucasjosel4802]

Professor bom dia , pessoal tem costume colocar resistor potencia no.emissor desse mosfet, qual sua finalidade? O que acontece se eu não colocar?

[@EltGeral]

Depende do circuito, em circuitos de eletrônica de potência não colocamos resistores a não ser que queiramos medir a corrente naquele ramo. Em circuitos analógicos, como amplificadores eles servem como sensores de corrente também e para equilibrar a distribuição de corrente, o que para Mosfet é desnecessário, já que ele se equilibra sozinho.

[@gurilab]

Não basta só um mosfet ter a capacidade de ID de 420A e VDS de 100V o mais importante que tem que olhar ainda é no seu uso. Ou seja a potência de dissipação que ele suporta se suportasse tudo isto passando nele teríamos 42kW (queimaria na hora) acho que nem chuveiro elétrico vai a tudo isto....kkkk

[@EltGeral]

Tem alguns conceitos errados aí, um mosfet de 420A e 100V não conduz 420A em 100V, pois uma informação é a corrente de condução e a outra é a tensão de bloqueio, são dados de instantes distintos de operação. Normalmente 100V ocorre com corrente nula e os 420A com uma tensão bem baixa. De qualquer forma, mesmo que você siga a recomendação do fabricante em todos os casos, nenhum dispositivo consegue suportar o calor gerado pelas perdas sozinho, é necessário um projeto térmico com o uso de um dissipador para manter a temperatura do dispositivo controlada, a quantidade de perda que ele suporta tem a ver com os limites possíveis desse projeto térmico.

[@joaopedrosilva6931]

Professor, me corrija se eu estiver errado, mas parece q o pessoal de power electronics vai ter q fazer uns cursos d pcb com o pessoal de telecom.

[@EltGeral]

Ah sim, mas não só. O problema de ter altos dv/dts e altas potências ainda é mais complexo que muitos sistemas de telecomunicações, que apesar da altíssima frequência, trabalha com baixa potência

[@alessandroponciano194]

Estou com um equipamento que precisa trocar um par de Mosfet, o código dele é C20N50. O revendedor só tem com os prefixos sdpf e fqdf, não consigo ver na internet um Mosfet com o prefixo que termina com C. Qual é a diferença entre esses prefixos?

[@EltGeral]

Esses prefixos podem ter muitos significados, mas normalmente tem a ver com o fabricante e às vezes o tipo de encapsulamento. Por exemplo, o FQD é da Infineon e usa um encapsulamento TO220, já o FQDF usa um enxapsulamento TO220F, que tem alguns features diferentes como, por exemplo pior dissipação térmica.

[@JoaoBatista-hk2iu]

Bom dia Não consigo achar datasheet do igbt 30F133 smd de tamanho 252 pode me ajudar para placa Ysus da lg

[@LWeizemann]

30 é a amperagem . f é a tensão, 1 é n e o resto é numero de serie. Sugiro estudar o datasheet da toshiba sobre igbt.

[@lucasjosel4802]

Professor como diferencio um dado de uma instrução??

[@EltGeral]

Na sua estrutura os dois são iguais, o que diferencia é o local de memória onde cada informação se encontra e se a estrutura da instrução é compatível com a isa do processador

[@lucasjosel4802]

@@EltGeral entendi, os dados e programas são mesma estrutura o que diferencia e o local de armazenamento da memória, e como funciona dentro processador esses comandos reservados if , else

[@EltGeral]

@@lucasjosel4802 na verdade esses comandos if else, etc são comandos de linguagem de programação e não do processador em si. Existe um programa compilador que converte esses comandos em instruções que o processador consegue ler

[@lucasjosel4802]

@@EltGeral consegui entender agora . Na hora de compilar esses códigos criados são compilados e transformador linguagem processador consegue ler

[@user-zv3nw2bq3v]

Um igbt poderia ser substituído por um mosfet?

[@EltGeral]

Depende das características, mas na maioria das vezes não. Se está usando IGBT é porque não tem um Mosfet nas mesmas características que atenda, ou, se tiver, é mais caro.

[@electrotools8083]

Otimo video, mas gostaria fazer uma aclaração, o diodo mencionado no minuto 2:38 não é um diodo parasita, ele é projetado propositalmente para proteger o transistor de tensões reversas as vezes produzidos por correntes remanentes que voltam de algum indutor ou transformador para o transistor, caso ele não estivesse o transistor pode se danificar.

[@EltGeral]

@@electrotools8083 no caso do IGBT o diodo é inserido para transformar o dispositivo em uma chave bidirecional em corrente, no caso do Mosfet é um diodo parasita mesmo. Ele se forma na junção PN entre o dreno e a região de drift do Mosfet, não é um projeto intencional, apesar da sua presença ser útil na operação em eletrônica de potência. Exatamente por ser um diodo parasita, o desempenho dele (nos Mosfets) é tão ruim.

[@electrotools8083]

@@EltGeral Devo fazer uma errata sobre o que disse anteriormente. É verdade que a junção PN ou 'body diode' é formada pela própria natureza do MOS. No entanto, e é isso que quis dizer com a minha aclaração, o termo 'parasita' eu entendo como um elemento indesejável formado em um circuito ou sistema. O motivo pelo qual não se tenta eliminar esse 'parasita' é porque, como mencionei, ele é usado regularmente para diminuir os efeitos de carga indutiva. Inclusive, por esse motivo, costuma-se adicionar também diodos Schottky nos terminais DS em shunt, pois proporcionam melhores resultados. Outro motivo é que, se existem outros elementos parasitas no transistor, como as capacitâncias associadas a ele, como Cgs, Cgd, Cds, por que elas não são adicionadas na simbologia, e sim esse diodo 'parasita'? Também quero dizer que é um tema polêmico e amplamente discutido em fóruns de eletrônica, por isso não considero a sua resposta errada e agradeço a atenção ao meu comentário. Não estou tentando desmerecer o seu vídeo, é uma explicação excelente e de grande ajuda para a comunidade. Deixo um link onde se aborda este assunto : electronics.stackexchange.com/questions/389406/how-should-i-understand-the-intrinsic-body-diode-inside-a-mosfet (ver o repply num 16). Abs

[@noslidemais]

[@dekofar]

Excelente aula, pelo conteúdo e pela didática