新商機！台積電再次領先國際！可與三星較勁的新成長動能！自旋軌道力矩SOT-MRAM是什麼！？未來人工智慧、高效能運算都靠它！

[@zzxxcc360]

我碩士也是搞這個，最白話的懶人: 電流流過重金屬產生自旋流，自旋流可以翻轉磁性，讀取磁阻可當記憶體。

[@hualinkao-xm6zx]

跟超音速武器技術有關嗎？ 做不出來

[@renjiecai9417]

​@@hualinkao-xm6zx很19號非牛頓流體混泥土有關

[@binghamkuang]

SOT和STT是寫入原理 讀取都是用TMR去讀

[@tc-kq9rt]

還好每個中文字我都看得懂．

[@T_T-A_A-Q_Q]

自旋流來改變SN的方向... 在看我來就是更進一步的垂直寫入模式...

[@I_am_sosilly]

這個案子其實工研院幫很大, 而且最後據說良率蠻好的, 希望趕快有產品出來, 讓我們繼續在各行各業發揮台灣牛的精神

[@woodfire7744]

很棒的解説。

[@zuofoking6122]

就是说如果解决了体积和成本问题的话，这个技术可以一统所有存储设备的江湖，以后就没有缓存、显存、内存、硬盘的区别了，这将带来总线技术的彻底变革，这样说来确实是革命性的，期待看到那一天！

[@Ansforce]

理論上是這樣，但是沒有這麼容易。

[@T_T-A_A-Q_Q]

放心好了...到時候一樣會有緩存...

[@binghamkuang]

@@jacklupad 其實極端場景有機會統一：目前只有這個暫存技術有潛力可以忍受宇宙輻射

[@arrkaiii2217]

碩士論文兩年前就是做這個😭

[@Ansforce]

是哦！讚唷！

[@yahping07]

請問現況如何？估計多久以後可以商業化？

[@Ansforce]

@@yahping07 SOT-MRAM應該幾年內就商業化了！這個不是學術研究，算是產學合作。

[@binghamkuang]

我們實驗室的學長在做台積產學 我都不敢跟他搶退火爐⋯

[@millrdge3]

省電+ 快速 + 元件超小 + 制程可控制且可大量精確製作 + 材料與矽製程相容 + 最終線路穩定且可靠性高 = then you know what to look for and what to focus on! 你懂得嘍!!! I hope and I guess, TSMC and 工硏院 已經將關鍵 工藝 方法 元件 材料申請專利 to protect important KNOWHOW, IP and methodology!

[@LittleRedCapBWR]

頻主很棒很專業！

[@Ansforce]

謝謝你的支持！

[@文南王]

難度高才好，我們的產業鏈可以克服。又一個尖端級別的關鍵技術。

[@SyuAsyou]

太神了～~台積電和工研院合作開發的這種記憶體，最有可能率先用於哪一類產品？會是SSD嗎？雖然說目前可以微縮到12nm，但是平均單位大小不知道，也不曉得需要哪些週邊電路，實際上市產品的規格難以想像～

[@Renlasiongir]

謝謝專業版主！

[@ricyeh9011]

學習了！感謝！

[@chenjheng7201]

請問可以講中研院自研自製「量子電腦」嗎？真的有這麼厲害嗎？

[@LeoCheongK]

大概是以前HDD磁碟的縮小版嗎? 那穩定性不知道怎麼樣

[@Ansforce]

其實也不是縮小版，硬碟機的一個位元只需要一個磁區，再用磁頭去讀寫，屬於磁寫磁讀，但是MRAM是電寫電讀，每個位元還要有電晶體，所以每個記憶單元都變大了！

[@owenchang2581]

也就是說這是用來取代CPU或GPU內的快取SRAM, 不是大家一般以為DRAM或NAND...

[@Ansforce]

其實理論上要取代DRAM或NAND都可以，只是目前技術還不成熟，記憶體容量不夠大，要取代DRAM或NAND還有困難。

[@binghamkuang]

要取代很難，目前MRAM不夠快、不夠密、設計不夠方便（有點晶片設計概念就知道，SRAM對晶片設計人員來說太簡單，很好融入設計）

[@nathanhu3937]

好像可以用邏輯製程產生？

[@石决明-g8d]

会不会摔一下直接白盘？就像hdd那样？

[@frankchen6065]

請問什麼是phase change memory？要用在那裡？

[@Ansforce]

參考這裡 www.ansforce.com/posts?page=1&cid=memory_device

[@jzlin8535]

控腦裝置盛行 五十餘年 是實際案例 高科技人 有抗議過嗎?

[@waterspoutgogo]

讚哦

[@millsonliu]

三星：你台積電做積體電路就做積體電路，幹啥跑來做記憶體？還給不給人活阿？ㄍㄢˋ！

[@a09488]

🤣🤣

[@a09488]

🤣🤣

[@killers1131]

🤣

[@renjiecai9417]

三星本來就已經在被瓜分記憶體市場了 如果沒有新東西 台積電沒必要進入過飽和市場

[@millsonliu]

@@renjiecai9417 所以要搞新東西Ａ＿Ａ

[@hsunausca1831]

AI運用為什麼需要非揮發性的記憶體?除了低功耗, 只要速度和頻寬夠,不就可以嗎.

[@Ansforce]

問題是HBM的速度不夠快，MRAM的速度理論上和快取記憶體差不多，又是非揮發性的記憶體，雙重優點。

[@hsunausca1831]

@@Ansforce 這所謂的速度比較快應該是單一次讀寫的速度快,因為這次的介紹只是在元件層次.所以我假設應該還是用類似的memory controler, 在一次記憶體讀寫週期裡面,元件的讀寫和控制器需要的時間各自占多少比例,也會很重要的因素. 當然,省電是很重要的,因為現在記憶體需求近乎無限,越來越吃電.

[@Ansforce]

@@hsunausca1831 是的，你說的對，這裡的速度快是針對單一元件，如果考慮到HBM的多晶片堆疊，或NAND的3D立體製程堆疊，在容量和速度上都比不上，所以要取代HBM或NAND目前做不到。

[@steven211t]

@@Ansforce hbm是延遲高 成本高 頻寬其實挺大的 現在都TB/s 級了而且一直在進步

[@steven211t]

ai要的是容量大及超高速記憶體 目前ai加速卡是靠超高速乙太跟ssd storage 要資料 另外ai加速卡你有注意的話他是cpu gpu hbm ram在一塊板子上 如果有個記憶體延遲比hbm低又可以替代部分ssd的用途 那其實大有可為 就可以減少從ssd調度資料的次數 會很有感的增加運算效能

[@s030100000408]

我比較好奇什麼時後可以上市？

[@giszionster]

時候

[@allacerz2289]

每次看都很頭痛 但又點進來看是怎樣！？

[@yuio823]

請問曲博科技教室,英特爾和聯電宣布合作開發12奈米製程平台,這讓人感到怪怪怪的,因為照理來講對英特爾而言12奈米製程是一個很容易的製程,應該用不著找聯電來合作開發才對 現在有一種看法是說因為"英特爾的製程技術原本就不是為"高平均每瓦效能"晶片而開發的,英特爾的晶片製程技術基本上就是用高功耗去硬推晶片的性能(因為英特爾擅長的PC 的CPU 原本就對功耗的限制比較少)",所以現在英特爾必須找聯電合作開發適合 "高平均每瓦效能"晶片的製程技術,請問曲博科技教室是否同意這種看法?

[@Ansforce]

應該不是這個理由，主要是聯電的12奈米一直沒有量產，英特爾主力在先進製程，所以合作由英特爾提供技術協助，由聯電提供量產經驗降低成本。

[@ntr1381]

這個應該是以後SSD的顆粒吧?

[@binghamkuang]

不一樣 那東西太便宜，MRAM太貴了

[@ntr1381]

@@binghamkuang 抱歉我不知道，那這個能作什麼呢？ 給cpu or gpu當緩存？

[@dennisliu5641]

​@@ntr1381mram是非揮發式記憶體，對手應該是nand nor flash

[@samzheng5501]

取代ddr memory的角色

[@chenenjoytheluxury2668]

他可以當ssd也能當sram，取決於成本

[@陳興義-q6y]

代工領先全球。

[@OpenPossible]

這個技術讓我聯想到一般硬碟的磁性記憶😅

[@Ansforce]

是的，都是用磁性材料。

[@心能量-c8v]

一切都是安排好的，台積電就是創造神

[@uforz]

謙虛一點世界很大，重要發明多的是，別好像沒見過世面一樣

[@uuuyy6812]

這不是晶心科跟tetramem，合作開發的那顆MX100嗎？

[@懷祖陳]

拜託，現在就業者就有強烈需求～～ sot-mram需三個電晶體，有何難？！ 現在台積不是有先進封裝嗎？！ 做4片疊在一起就解決，且各片製程不會互相干擾～～～ 當初3d ic 規劃不是如此嗎？！～~ 還是有其他難言之隱？！

[@Ansforce]

那三個電晶體必須要在記憶體旁邊，不可能用先進封裝的方式製作。

[@binghamkuang]

熱穩定性蠻頭痛的，BEOL製程要到四百度，甚至要持溫半小時到20小時之間，還需要持續努力才能讓元件挺過去

[@yuio823]

曲博科技教室你好,先前你回覆說 英特爾和聯電合作開發12奈米製程平台,其中一個原因是要聯電提供量產經驗,但是英特爾應該早就對量產十幾奈米製程晶片駕輕就熟才是,為何還要聯電提供量產經驗?請問這是因為英特爾並不擅長量產不使用x86指令集的晶片嗎?

[@Ansforce]

英特爾會量產但是聯電會降低成本呀！

[@tzuangel521]

0:16

[@chenenjoytheluxury2668]

不知道這次有沒有找到方法可以縮小體積了，MRAM現在問題還是體積導致無法取代SRAM，如果能做到減少體積的話那將很有賣點

[@陳柄樺-t6d]

不能直接比吧 一個是揮發型(關電就沒資料)，一個是非揮發型.... 要比也找個非揮發型來比才比較合理吧

[@chenenjoytheluxury2668]

@@陳柄樺-t6dMRAM最大賣點就是他非揮發之外delay也很短，基本接近L3 的等級，因此它可以同時取代記憶體和硬碟，想像一下就是以後我們的電腦沒有硬碟和記憶體，多了幾條MRAM就能同時取代他們。 並且現在SRAM縮不下去導致3nm不如預期，就有一堆研究在找新的記憶體，裡面MRAM是最紅的，可以參考IMEC開的職缺，多出超多MRAM相關的研究。 因為他的萬能性所以才被捧很高

[@diamond9999k]

軍用交給小兵很能扛的

[@nijawang]

WER是不是應該為10^-9？

[@Ansforce]

對，應該寫10^-9，不過論文寫10^9，我覺得意思對就好了！

[@remingtonpau1881]

字幕是用軟體經電腦語音產生的吧，錯字不少。

[@Ansforce]

對，那是GOOGLE語音生成文字，所以有錯誤是正常的，不好意思囉！

[@德德-x6c]

某些商業機密！是不能發表的

[@彥-u3t]

主記憶體的容量只須足夠就可以了吧，不必非常大，但關鍵是速度要快吧

[@劉正行-q9r]

當生成一個很大的系統時，資料(生成進度與參數)必須保持一個鏡像，不可以存在VM，因為系統的回態會有大量資料需要參考。你只要寫過多層式巨集interpreter就知道，當用戶按【ESC】時，他希望的不是停止巨集，而是停止巨集及等待執行的上幾層巨集。

[@steven211t]

會遇到馮紐曼瓶頸 記憶體快因為資料交換關係還是會撞牆 最理想還是inmemory 計算或是像蘋果這樣統一記憶體架構 一個是避免 一個是拉高上限

[@wenhuanglin1832]

和大陆这边的名字忆阻器是一个东西吗？之前有一些存算一体芯片产品的新闻，感觉是一个改变冯诺依曼体系的东西，能大大提高存储对计算造成的瓶颈

[@wenhuanglin1832]

查了下不是，原来是MRAM😂，抱歉没认真看

[@葉大雄-d4m]

字幕錯別字有點多耶 沒一個磁矩是打對的...

[@Ansforce]

那個字幕是GOOGLE語音自動生成文字的，錯誤是正常的，勉強用一下吧！

[@黃秋風-z9g]

希望中華民國有魄力 藉由ai時代 站領下一代記憶體的戰略高地 mram量產必須是國家核心目標

[@Spermilk]

遙遙領先！

[@yen-linhuang888]

最厲害的台積SOTMRAM只有三個工程師就完成了這個porject

[@Ansforce]

不是啦！我參考的文章是參考資料的這三位，台積電的論文沒有公開發表所以我查不到。

[@yen-linhuang888]

哈我還以為是去年在IEDM上發表的那篇@@Ansforce

[@lin102able]

這個MRAM已經很久了 10年以上了吧

[@binghamkuang]

不只，可能快六十年 一開始確實是圈錢話術，但後面也越來越可行 現在已經有商用產品（STT-MRAM） 早期是美國海軍在資助的

[@歐訓]

整個看完我只記得SHE。哈

[@元萊-s8i]

三星的末日，真的快來了 ~

[@gutonsinman7423]

其實TSMC真的不必追求"非揮發"性MRAM, 只要它的MRAM能跟SRAM一樣快速讀寫, 但需要重新"充能"的時間拉長很多倍, 甚至有通電下, 充能時間可以"分"來計, 這樣的記憶體就可吊打SRAM與DRAM, 其能耗絕對比S&D RAM 好上數十倍.

[@timmy61109]

的確是這樣，但現在SSD 跟很多相關產業，我覺得非揮發性應該還是強勁

[@timmy61109]

我的感覺啦，也不是台積電只想要研究非揮發性，而是市場導向

[@mikelin8577]

不是只有能耗, 還有速度問題, MRAM可以直接堆疊在logic上, I/O設計的好就可以大幅增加速度

[@jl547]

这个是类似于intel以前搞的optane吗？Intel的已经死了

[@Ansforce]

Optane有可能是相變化記憶體(PCRAM)，不太確定耶！

[@mikelin8577]

Intel Optane那群人已經跑去某家國際大廠開發MRAM了

[@JansonChien]

標題：與三星較勁，有沒有搞錯

[@Ansforce]

沒有搞錯呀！三星在先進製程輸給台積電，但是在記憶體可是完勝台積電呢！

[@MrJohnsonhsu]

邊緣運算…

[@E和竹]

聽這個晚上應該很好睡

[@user-xz4ms8lt6o]

這個技術要記的保密保護不要被大陸偷走

[@chrissun638]

這種論文在對岸早就有了，台積量產了嗎？沒量產就別在那high

[@mikelin8577]

左岸還在論文...真好笑..人家台GG已經要朝商業化前進了....

[@millsonliu]

搞清楚一個還在論文階段，一個已經在實務應用了，你認為台灣在這方便論文經驗還少嗎？你讀點書對你有好處謝謝．

[@Ansforce]

學術研究的論文其實已經發展20年了！這回是產學合作量產的時間不會太久。

[@lonk458]

很多東西理論很早以前全世界早就有，只是早期很多不成熟跟當時環境技術材料成本限制，而這個早期可能遠比你以為的還久遠 這種侷限的認知，只看過大陸就認為大陸才開始有的，只能說根本對全世界技術發展，根本完全不了解

[@millsonliu]

接續上面： 雖然大陸在極少部分領域也有卓越成果（包含論文與研究），但是偷竊大國的名聲還是擺脫不掉的，況且這方面還是中國最不擅長也最能偷的領域．誰知道大陸那些論文會不會是從韓國、台灣、日本、美國等等這些地方偷的呢？ 目前長江的記憶體都已經確定不是大陸自己研發的． 你國際觀可以開放點，就別在那high.

[@wang6314]

假如電腦用這種非揮發性記憶體，意思是以後電腦開機不用重新讀取系統檔，電源開了直接就可以用是這樣嗎？

[@hsunausca1831]

還是需要把CPU/register的狀態都存起來. 不過這速度很快就是了.

[@jojo-jj]

這跟一般窮人民 ㄧ點關係都沒有。

[@timwang2590]

去查一下臺積電賺全球客戶的錢，一年幫你交了多少稅、疫情主動出資幫忙買疫苗等等...你說跟窮人有沒有關系? 你安全自由有健保，是因為有人替你負重前行

[@jojo-jj]

@@timwang2590 完全沒有關系。

[@ethanhuang4367]

悲哀，又見不得人好，當然你的貧窮可悲，我們也不需要在乎⋯⋯但這個社會在政府加速財富重分配時，對這些消極懶惰的公民，效果也是最差，貧窮階級複製當然會世襲，可憐啊⋯⋯

[@ts02968589]

思想窮也是一種貧困

[@sdl684]

注定當ㄧ輩子魯蛇的思維

[@yuan_sen]

別傻了!大內宣~

[@mikelin8577]

不是只有t在做, 台灣還有其他家也在做, 是要內宣什麼?? 曲博是民進黨養的??

[@kuoyuan11]

民主自由社會的大內宣。

[@millsonliu]

大外宣你好大外宣再見

[@hung-chinghuang663]

TSMC要跨入記憶體？是要自己品牌還是代工？若能爭取三星下單，全球半導體巨頭都是客戶，那麽TSMC最後一塊拼圖就完整了

[@Ansforce]

台積電很早就在做MRAM了！記憶體不會找台積電代工，而是找台積電合作先進封裝。

[@ccnj322ccnj7]

开始生产了？

[@millsonliu]

是的，接下來是商業接單與製程優化，畢竟需要有客戶青睞才有交易活動發生．

[@TaiwanN0.1-rn6jm]

製造的新技術還是掌握在台灣手裡比較好，全世界都可以享受成果，訂單來就好，，看看intel的optane搞成什麼樣子，寧可搞死它，也不願意降價推廣

[@NealLin-is4cd]

說半天也沒說可以做出幾G的顆粒？容量大小都不說？

[@morganyang9244]

MRAM 在 Ambig Apollo4 是有的, 也是台積 22nm .

[@Ansforce]

因為我拿不到IEDM的論文所以不確定，如果拿到論文再拍一部介紹吧！

[@yuan_sen]

別傻了!大內宣~

[@She7896]

中國做不出來😂😂😂😂😂😂

[@mikelin8577]

不是只有t在做, 台灣還有其他家也在做, 是要內宣什麼?? 曲博是民進黨養的??

[@ethos0712]

這麼艱澀的內容你們小粉紅看不懂也很正常啦

[@yuan_sen]

別傻了!大內宣~

[@李淑雲-h3e]

見不得人好，忌妒心態

[@lonlon564]

你有看影片內容嗎?

[@楊建發-n8s]

您的內心世界是如此狹隘。

[@sodiermantw]

商業公司的研發與量產是財經新聞，怎麼變成大內宣❤

[@mikelin8577]

不是只有t在做, 台灣還有其他家也在做, 是要內宣什麼?? 曲博是民進黨養的??