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Пікірлер
@sugeuni 2 күн бұрын
지금 삼성 망함
@아아스베 15 күн бұрын
도움이 되었습니다. 감사합니다
@dohyunbarg Ай бұрын
뉴로모픽이 npu인가요?
@dohyunbarg Ай бұрын
다른 유튜버들은 초보자용으로 이해하기 쉬우라고 구라를 치는데 정확하게 설명하시는 모습 보기 좋습니다. 최고
@samsunggemboy Ай бұрын
지금은 사만전자됐습니다
@이게나야-f3v Ай бұрын
커페시터에 전하가 없는 경우가 0으로 읽히는 거 아닌가요?
@cerberus5442 Ай бұрын
설명 깔끔하게 잘하시네요 감사합니다
@pastelheart13 2 ай бұрын
😅
@pastelheart13 2 ай бұрын
-😊ahi😂
@tonyswan87 4 ай бұрын
정말 큰 도움이 되었습니다. 감사합니다
@klaymoon1 4 ай бұрын
This is very helpful. Thanks!
@남궁남궁-q8q 4 ай бұрын
혹시 참고 문헌 알수있을까요?
@starlightt20 5 ай бұрын
칩쟁이님 혹시 카퍼핀이라는 기술 아시나요? 카퍼필러 대체기술이라는데 웹에 관련자료가 없어서 찾기힘드네요.
@Dante-yt7oy 5 ай бұрын
왜 한국말보다 영어를 더 잘함?
@물방개구리 7 ай бұрын
Dummy gate를 만드는 이유는 gate가 열에 취약해서 인가요?
@토비-k1i 7 ай бұрын
반도체 쪽은 잘몰라서 찾아봐도 이해하기 어려웠는데 쉽게 설명해주셔서 너무 감사합니다 !!
@야호-i2c6p 7 ай бұрын
진짜 제일 잘설명해주시는거같아요..정말 감사합니다
@jae_0an713 8 ай бұрын
맛잇네요
@jae_0an713 8 ай бұрын
농담아니고 야코레드 이상급 제발 딴것도해주세요 제인생 구원해주세요재발
@고경호-t7s 8 ай бұрын
좋은 영상 너무 감사드립니다. 혹시 자료 제작에 참고하신 자료나 논문이 있을까요? 한번 보고 싶습니다 ㅎㅎ
@물고기-n3s 9 ай бұрын
감사합니다 핵심을 너무 잘 요약해주셔서 포인트를 잘잡을수 있었고 학교 쪽지시험도 망하지 않은거 같아요. 감사합니다!!!! 혹시 공정 영상은 더 안만드시나요? 학교 교수님 PPT랑 검색으로 어떻게든 하고는 있는데 요점은 잘 모르겠습니다
@djlipsum1526 10 ай бұрын
삼성전자가 공급하는게 아니라 삼성전자가 공급 못 하는 중인 제품이라고 제목을 바꾸는게 옳을 것 같음
@to5ki 10 ай бұрын
기다렸습니다
@RPthrgkauaus 10 ай бұрын
너무 필요했던 내용 잘 들었습니다 ㅜㅜ
@예예오-e2j 10 ай бұрын
대항마는 amd 말씀하실줄 알았는데 아니였네요 ㅎㅎ
@예예오-e2j 10 ай бұрын
정말 오랜만입니다 ㅠㅠ
@dongwankim5239 10 ай бұрын
정확한 정보를 알기쉽게 잘 설명해 주셔서 감사합니다.
@HoneyTwix 10 ай бұрын
HBM도 SIP의 일종이라고 볼 수 있는 것 맞나요?
@늘푸른주린이 10 ай бұрын
쉽고 재미있는 강연 감사합니다
@ahnsj97 10 ай бұрын
원래 도체성향인 Floating gate의 전자들을 -전압으로 P형 반도체로 넘어가면 그 전자들에 의해 n과 n사이에 n채널이 생겨서 전류가 흘러 bit가 1이 되고, +전압으로 다시 Floating gate로 전자가 FN 터널링으로 넘어가면 P형 반도체에 전자가 사라져 n 채널이 없어지니 n과 n사이에 전류가 흐르지 않아 bit에 0이 기록된다는 건가요?
@오세현-y6q 7 ай бұрын
GATE에 전압(V_READ) 인가시 FB에 전자가 쌓여있는 상태라면 인가 전압이 일부 상쇄되어 inversion Layer을 형성하기 위한 Vt전압을 충족하지 못하고, channel을 형성하지못해 Vd를 인가하여도 전류가 흐르지 않아 0으로 인식하는 것이고, GATE 전압 인가시 FB에 전자가 쌓여있지 않다면 더 손쉽게 (Vt가 낮은 상태되므로) V_READ를 인가했을때 inversion Layer=channel을 형성하여 Vd를 인가했을때 전류가 흘러 1이 되는 것입니다. FB에 전자 있을때 (Vt 높음)= 0 FB에 전자 없을때 (Vt 낮음)= 1
@jrunsa1216 11 ай бұрын
Good job
@januaryevent3872 Жыл бұрын
이해가 잘가네요 정말 감사합니다 저같은 일반인도 알아듣기 쉽게 잘 설명해주셔서 감사합니다 핀펫이 사실 3면이 아니고 2면의 게이트라거나 cfet의 구조 설명 등등 너무 많이 알아가네요 영상하고는 관계가 없는 내용이지만 제가 얼마전에 읽은 기사에서 궁금한 점이 생겨서 염치 없지만 질문드립니다 기사인용 (VDD 스케일링은 0.7~0.8 전압 범위 근처의 포화점에 도달했습니다. 즉, 더 이상 전압 감소로 인한 추가적인 이점을 얻을 수 없으며 기타 누설 수준도 상대적으로 변하지 않은 상태로 유지됩니다. SRAM의 밀도를 계속 높이고 칩에 더 많은 트랜지스터를 추가하기 위해 새로운 기술로 계속 마이그레이션한다면 칩 작동을 위해 더 많은 전력이 필요합니다) 인용 끝 이 말은 기술발전의 한계로 로직반도체의 소비전럭을 낮출수 없다는 말로 들리는데 그럼 예를 들어 1.4nm공정에서 1nm 공정으로 발전을 하여도 면적의 감소 말고 이점이 없어진다는 말인가요?
@onnosho Жыл бұрын
안녕하세요! 영상에서 3d 구조는 칩쟁이님이 만드신건가요? 만드셨다면 어떤 프로그램을 사용하셨나요?
@Alex-by4zm Жыл бұрын
HBM 공부중인데 가장 이해가 잘 되는 영상입니다. 친절한 강의 정말 감사합니다!!!
@younghunpark7993 Жыл бұрын
좋은 영상 감사드립니다~! 이해하기 쉽게 설명해주시네요~
@dfdsfd-m4e Жыл бұрын
안녕하세요 영상속 내용에서 궁금한점이있습니다! 영상에서 mosfet은 대부분 saturation 영역에서 동작시킨다고 말씀해주셨는데 1. 제가 알기로는 mosfet을 증폭역할로 사용할때는 주로 saturation영역에서 동작시키고 스위치 역할로 사용할때는 주로 triode영역에서 동작시킨다고 알고있는데 제가 잘못알고있는걸까요? 2. mosfet을 대부분 saturation영역에서 동작시키는 이유에 대해 이전 영상에서 설명해주셨다고해서 찾아봤는데 어디있는지 모르겠습니다ㅜㅜ 혹시 어떤 영상에서 설명해주셨는지 영상제목 알려줄수있을까요?
@marziolee3637 Жыл бұрын
FinFET 도입시점 설명에 오류가 있는 것 같습니다. 22nm까지 TSMC, 삼성은 HKMG planar를 썼고 인텔이 이때부터 FinFET을 썼습니다. 이후 sub 20nm로 진입하면서 TSMC는 16nm, 삼성은 14nm (숫자의 크기 차이는 이미 의미가 없지만 공식 명칭 표기이니 무시할 수는 없겠죠), 그리고 인텔도 14nm로 갔던 것으로 기억합니다.
@seungjaestudy1830 Жыл бұрын
대학 반도체과 면접 준비하는 학생인데 도움이 많이 되네요..ㅎㅎ 면접 부수고 오겠습니다!
@KoreanChipmaker Жыл бұрын
잘 보고 오세요 ㅎㅎ
@3914-hf1os 5 ай бұрын
저기 혹시 이영상 원리에대해 이해 완벽히 되셨나요? 저도 고3이라 ㅎㅎㅎ....
@김민철-h9q6b Жыл бұрын
다른 영상들에선 앵무새처럼 뉴로모픽 차세대 메모리만 반복하던데 이런 원리를 설명해주는 영상은 유일한 것 같네요 좋은 영상 감사합니다!
@KoreanChipmaker Жыл бұрын
도움이 되셨다니 다행입니다.
@임치훈-b7h Жыл бұрын
좋은 영상 감사합니다
@KoreanChipmaker Жыл бұрын
봐주셔서 감사합니다!
@이강욱-r6m Жыл бұрын
고전압을 걸어주면 oxygen vacancy가 많아져 전자가 이동할 수 있는 길이 생긴다는 의미로 받아들이면 되나요? 전압을 걸기 전에도 상부 전극에 oxygen 이온이 존재하나요?
@강주홍-s6b Жыл бұрын
영상 감사합니다!! 혹시 FinFET의 단점 중 하나가 ESD(정전기에 의한 충격)에 약하다고 들었는데 그 이유를 알 수 있을까요? 감사합니다
@fatihmahir7321 Жыл бұрын
u should probably do the video with english
@반도체공부 Жыл бұрын
안녕하세요 개인적인 궁금증이 있어 댓글달아봅니다. FINFET GAA는 DRAM같은 메모리반도체가 아닌 AP같은 시스템반도체를 위해 개발된 것인가요?
@KoreanChipmaker Жыл бұрын
네 원래 시스템반도체를 위해 개발되었습니다. 다만 dram 의 cell tr 에도 최근엔 FinFET 구조를 차용합니다
@史詩級 Жыл бұрын
Tsmc
@m2yo0 Жыл бұрын
문과생도 알아듣기 쉽게 설명해주셔서 감사해요 ㅎㅎ!
@구민경-u4h Жыл бұрын
선생님이 최고입니다
@rrida3759 Жыл бұрын
안녕하세요.! 영상 잘 봤습니다. 반도체에 대해서 거의 모르는 상태인데 FLASH 메모리의 경우 MOSFET에서 floating gate를 사용해 문턱전압의 변화로 메모리를 저장하는 걸로 알고 있는데 여기 영상에서 mosfet 이 진화함에따라 진화된 mosfet에 floating gate 를 추가해 진화된 flash memory 를 만든다고 이해해도 될까요? 그리고 vnand flash 가 시작된 형태는 어떤 mosfet 형태인지 궁금합니다. 항상 좋은 영상 감사합니다.!
@알콩땀똔 Жыл бұрын
좋은 영상 덕분에 취준에 도움이 됩니다ㅎㅎ 구독 눌렀습니다!!
@아랑-j4f Жыл бұрын
간단명료하게 설명 감사합니다^^
@이영준-n7d 6 ай бұрын
주식투자 안할거면 모르겠지만 투자 계속할거면 주식으로 10만원에서 40억으로 만든 [주식의정석] 이 채널의 영상들을 꼭 보셔야 할거에요 (영상들이 짧아서 보는데 무리없음) 주식투자를 어떻게 해야하는지 주식의 정석을 보여주고 있더군요 아마 은둔고수로 추정괴는데요 광고 아니니 오해 없으시길..