GaN charger teardown. Innoscience

✅提供 PCBWay (ピーシービーウェイ)さん提供ありがとうございます！
5ドルでプリント基板を作ってみる→ bit.ly/pcbway-ichiken
中国のInnoscienceから発売されている窒化ガリウムパワー半導体を使用したUSB充電器を入手しました。その実力を検証します。
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✅参考文献
・トレンドフォース, Navitas Takes Leadership Position in 2021 Ranking of GaN Power Devices Manufacturers with 29% Market Share by Shipment, Says. www.trendforce.com/presscente...
・経済産業省, 「次世代デジタルインフラの構築」プロジェクトに関する研究開発・社会実装計画（案）の概要
✅目次
0:00 入手した
1:09 窒化ガリウムパワー半導体はACアダプタに使われてる
2:27 なぜGaNが流行っているのか。GaNを使うと電力損失を減らせる
4:10 Siパワー半導体は損失がボトルネックになる
7:21 GaN充電器は効果だがその分の価値はあると思う
10:08 発熱・効率測定
11:45 分解
14:10 GaNの動作波形を見る
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[@user-ix5xh5or1l]

Innoscienceの樋口です 次世代パワー半導体GaNの紹介及び弊社GaNの紹介ありがとうございます。 解析頂いた充電器は３年前に設計した販促品です。 最近の充電器は更に性能が上がっています。 GaNの小型急速充電器をお楽しみください。

[@shin1083]

0:21 「山本先生からこちらをお借りしました」 からの舌の根も乾かぬうちに当然の如く分解しまくるイチケンさん

[@xlg5993]

お借りしましたから分解しますまで約12分でした 流石です

[@tames_one]

いつも詳しい説明で勉強になり感謝してます。

[@user-lv3yr3od6q]

「GaNが流行っている背景」の解説、面白かったです！ 不思議には思っていたけどそのことを自覚していなかったので、解説が始まった瞬間、「！！！」となりました！

[@zin5898]

各半導体の効率値を自分で持ってる実験結果から引っ張ってこれるのかっこいい

[@eco713]

いつも有難うございます。楽しみにしています。

[@tk0228born]

GaNトランジスタを採用したACアダプターの普及の仕方は凄まじかったですね。

[@user-oe7pr5ww2m]

USBのPDのお陰だね、ガジェット類の給電は殆どがこれになるんじゃないかな。

[@26c62626yamashita]

季節の変わり目でありますね＾一日の寒暖差に 注意をして無理はせず がんばってほしいです。

[@fortune_Star]

お借りしてるって言うてたのに、躊躇無く分解ｗｗｗ

[@user-bh1ud9si2w]

理解し易い上手な解説 👍 Thx♪

[@user-sn3nq1hk5v]

名古屋大の研究室から借りた物だから傷つけずに外部から徹底的に調べてるなーと思ってたらいきなり 11:45 「分解します」って刃を入れ始めたｗ

[@kanryukato5656]

窒化ガリウムも含めて先端素材の開発は日本が先行してるのに、なんで産業供給段階になったら日本勢が居なくなるんだろうね。悲しいね。

[@user-mm5cw3wv3q]

ヒント レアアース 安い労働力

[@wa-sanbon]

クオリティコントロール 耐久性 事故時の引責

[@hima1848]

商売下手。 マニアック性質だから作って満足して終わり。だからいつまで経っても大成しない。

[@user-jq3hh7nm4q]

大まかに国策の問題、国防安全愛国心の欠如、 結局スパイ防止法がキチンとあれば軍事技術として流出を禁止できる、それで世界中生活発展が少し遅れても知ったことじゃないわけ、自国の安全が最優先。 敵に獲られるくらいならむしろそんな技術は存在しなかったまでするのです。 アランチューリングは暗殺されるし、F-22、B-2も外国へは輸出できない。 　民生ビジネスと半導体安全保障の線引きができない経団連の非国民サラリーマン経営者、

[@user-jq3hh7nm4q]

対ステルス機レーダーの高周電波発生素子の技術なんだからヤバイのわかるじゃん、じゃ国に助けてくれといっても、役人は法律がないからできない、法律を作る国会議員は親中親韓、それに投票する国民は創価カルトやテレビで韓流ドラマ見ているオバサン・・・・そういうことです。

[@ruzzi2227]

とても参考になります

[@GucciElena]

いつも素晴らしい動画をありがとうございます。GaNのインフォメーションがチラチラ出始めて、とても興味がありました。今回の動画はすでに製品に応用されているものでしたが、私もゲートドライブのところに興味があり、とても参考になりました。GaNのターンオフの波形の振動は、言われますように、要因の一つとして、計測の難しさからプローブ系のリンギングが出ていると思われます。ところで負荷を掛けた時のGanの発熱はどうでしたでしょうか？・・・これからも、お身体に気を付けて、ご活躍を願っております。

[@sanjose7667]

詳細な説明、非常に良かったです😊 Transphormは自社Fabが会津若松にありますが、もしかするとグループ会社に分社化しているため、ファブレスという記載方法だったのかもしれませんね。

[@ICHIKEN1]

完全に見落としていました

[@ShikimoriMobile]

酸化ガリウムパワー半導体では日本メーカーがシェア握って欲しい泣

[@user-oe7pr5ww2m]

そもそもガリウムを中国とロシアが牛耳ってる時点で無理がある...

[@-private8214]

This is how i learn Japanese, thanks for your good videos

[@user-vz1gd2mm1q]

確かに多少高くても６０ｗ１００ｗＡＣアダプターは１１ｔproで感じたけど、充電がみるみる進むのはすこなんだ

[@mmcdkl5]

酸化ガリウムについても検証してくれたら嬉しいです。

[@user-dq7vf2qt2i]

自分もイチケンさんの話しは素人なので、良く分かりませんが、色々な技術や進歩が人間の平和の為に役立って欲しいです。

[@morkaz6648]

GaNの製造には青色発光ダイオードが必要不可欠で、赤崎先生などの高効率青色発光ダイオード研究がなければ今のGaNもここまで普及しなかったことになります。

[@tsrock38]

True

[@ROBOSKIJ]

2:00 なんでこんなに嬉しそうなんですかねぇw

[@younan68000]

変圧器の小型化は難しいのです。 磁束密度を上げても周波数が上がっても鉄損が上がります。同時に、これらの措置で変圧器は小型化します。ところが、 鉄損は、そのまま変圧器の最高温度と一致するので、どちらも単に上げられない理由があります。 あちらを立てればこちらが立たない、いわゆるトレードオフなので、変圧器の巻線公式と磁束密度、そして周波数による鉄損とを決めなければならないのです。 高い磁束密度で対応するならフェライトではなく、アモルファスやファインメットなどがありますし、周波数で小型化するにはフェライトが優れています。 変圧器は個人で巻いて、簡単に試験できますので、皆さんやって見てください。

[@Omusubisan]

ちゃんとpseマーク取得したのですね。

[@Hidekazu123]

ＤＣＤＣコンバータでは、コイルも技術革新で小型化出来ると嬉しいですね。

[@ti6079]

一般に、周波数上げると一度のスイッチングで貯めなければならない磁気エネルギーが相対的に小さくなるので、小型化につながります。 (昔のACアダプター電源の50/60hz用なので容量の割に重かったです)

[@1lime36]

アマゾンなどで売っている充電式の単三単四1.5ボルトリチウムイオン電池の安全性や直列接続の可否などを検証していただけませんか。

[@iryuu3asada]

PCBwayは前から気になってた

[@zxctube72537]

低いスイッチング周波数でスイッチングすると、低周波ノイズが増えてノイズの低減が難しくなりますね。 数百kHzのノイズでも、受動素子でフィルタを構成するのは至難の業なので、設計がシビアになりますね。。。

[@slack-no.3]

そこを確かな技術力とノウハウでコーディネートしてるAnkerは凄いですね！

[@user-pb7mi3qz4z]

物理で習ったんですけど半導体って抵抗と違って温度が上昇するほど誘電率が高くなるのにAC／DCを冷却する必要はあるのでしょうか？

[@vod123]

1：00　ファブレス企業　1:10　　窒化ガリウムGaN　2019.2　　　ゲートドライブ 10:15　ピーエスインマーク 　アナリシス、説明、分かりやすいですね。

[@h.n8826]

イチケンさん：ギャンですね 私：わぉ！？

[@mano3849]

勘違いしてる人が多いけどに日本に工場なんか元々ないよ、ファミコンのカセットもプレステも全部海外で作られてた。作ったところで亀山工場みたいになる。

[@singlefather01]

セミコンの工場？えっ那加とか高崎にあったと思うで、熊本の方も。

[@bitbehind]

プレゼンのスタイルがものづくり太郎さんみたいになってきましたね😊

[@eiichiogawa8432]

Innoscience充電器はどこで購入でしますか。日本の規格がおりていないものですか。自分は今、UGREENのGaN X 100W Chager、携帯用にAnker NanoⅡをパソコンスマホ向けに使っています。

[@user-jp8cv4cl6v]

GaNと聞くと青色LEDの中村さんを思い出します

[@user-di8tn2zx9g]

9月19日のTシャツを購入しました。まだ到着しませんがいつ頃届きますか？

[@KEN-hk8pw]

GaNはFT-IR,A-TRの短波長表面組成分析用プリズムしか思い出さん。Siに比べて窒化ガリウム、酸化ガリウムが効率がいいとは聞いてたけど、始めて見ました。

[@user-zi1ov6jp2i]

大学生時代(2000年代)には研究室で教授が熱く語ってました(パワー半導体で無く通常半導体時代)😂

[@kt57]

パワー半導体って日本が進んでると思ってたけどシェアに日本企業皆無で泣いた

[@Toireno-kamisama]

10年前の話？😅

[@kgcotton326]

え？

[@rudderfish]

窒化ガリウムの半導体は日本でも造ってるみたいね

[@y_pika5324]

ワイドギャップ半導体は青色レーザーの開発初期に盛んに研究されていました。

[@masarukawada]

いいね と チャンネル登録 させていただきます。 😀🇯🇵😀

[@poukljabe4165]

gen 65W目前在中国已经做到更小的在售卖了，相比起这里这个明显要小很多 价格大概是 50-89CNY ≈1000-1800JPY

[@user-sn5by2lr8z]

作れたとしてどれくらいの期間運転できるのでしょうか？ すぐ壊れてメンテナンスばかりにならなければいいですね

[@user-hc8td3qw9b]

5:51 効率30%up、凄い。⇒⇒⇒USB PD 3.1対応品を注文した。

[@mkep82da]

半導体を製造する方は設備投資やらで1企業だけでは資金調達が難しいため、製造企業だけ別会社として複数メーカーからの半導体を製造するようにしてる場合がある。なので回路設計販売などは大手メーカーだが実際に製造してるのは一般の人はよく知らないようなメーカーだったりする…

[@minamico]

MOSFETはスイッチングの時に一番電力を消費しますからね。 100%から効率を引くと損失が出ますから、損失は Si→11%、GaN→8%でまんまおよそ30%低い、という結果です。

[@STRD]

電子系と情報系で同音多義語になるGaN (またはGAN)

[@user-hf9yo2ly2t]

ほんとだｗ、面白いな。

[@0242OTFT]

単純にケースに段差や溝をつけて表面積を上げないのは何故でしょうか

[@UMA0986]

あまりに耐熱温度（ジャンクション温度）が高過ぎてプラスチックパッケージでは追いつかないという件😁

[@TenTem]

やっぱり、スマホにＡＣアダプタつけるのは難しそう

[@user-ex7yi4ck6j]

学会発表のスライドを思い出しました

[@Rockhome1]

GaN=ガリウムナイトライド＝ギャン。これテストに出るから覚えておこう。勉強になります。

[@taroham7670]

まだウェーハのお値段がシリコンの300倍くらいするのがね・・・

[@hal007]

ACアダプタから採用が進んだ理由が何かあるのでしょうか。そのあたりも説明して頂けたら勉強になります。 ACアダプタ以外の電源素子としての動向が気になります。今後、大電流にも対応し、低損失を活かした背品が登場するのでしょうか。

[@user-hs3px4hu3j]

モーターだと高周波のメリットが少ないからだと思いますね〜

[@user-bw2dz8wr4x]

窒化ガリウム LEDだけでなく、ACアダプターにも、使われてるんだあ

[@user-yg7bh1pc2l]

お借りしたブツを容赦なく分解！

[@alwaysoutofbase5255]

プローブの周波数特性の限界に近いのでしょう。

[@harry333ism]

結局のところシリコンカーバイトの方が全然性能良いね

[@is-dp4kk]

最近小型ＰＤ充電器でＣＩＯというメーカーが伸びていると思います。 私も使っていますけどコンパクトで気に入っています。 変換効率とか制御方法とかイチケンさんの解析動画を観たいです

[@SuitTrain]

例えばAmazonでnovaport duo 65wを星1レビューに限定して表示して見てください 詳しく計測している方が複数おられますが、いずれも表面温度がPSE(電気用品安全法)に違反していたり emarkerに違反しており最悪ケーブルの発火も考えられます。 しかもメーカーそう言った声を無視していて規格違反しまくりの 日本のメーカーとは思えないレベルです。 スペックは目を惹かれますが、詳しい人は買わないメーカーです。

[@is-dp4kk]

@@SuitTrain すぐ壊れたとかある程度の悪評があることは知っていたけど規格違反は知りませんでした。 ANKERとかも違反しているらしいけどイチケンさんのレビューを見てみたいです。 安全性と関係ない規格違反ならまぁ許せますね

[@4864427]

急速充電ってバッテリー痛めるように思うんだがなあ。ラジコンのLiPoみたいな最低限装備の電池と比べちゃいけないのかもしれないけど、急速充電したバッテリーは膨らみやすい・・

[@katino.]

借り物を分解！！？？？

[@tuttik]

Спасибо за обзор. Я думаю чтобы не потели руки воспользуйтесь строительными перчатками

[@Toreneco]

その充電器は前の世代のGaNを使っている、ってメーカーの方が言ってた気がします。 最新世代はもう少し効率がいいとか。

[@user-cz2zj6hp3w]

高速スイッチングで熱損失を低減させる、しかし電流の急峻な変動によりノイズの発生が懸念される。この辺りを解析してみたらどうでしょう？また、一般的なSiと比べGaNの許容ジャンクション温度の違いから小型化への貢献度を比較してみたらどうでしょう？

[@user-de9zr9lp5w]

高速スイッチングすると熱損失は増えると思います。

[@user-cz2zj6hp3w]

@@user-de9zr9lp5w 動画でも言ってる様にスイッチング周期は同じですのでON/OFFだけの損失は低減されます。

[@user-hs3px4hu3j]

EPCとかはGaNで理想的なレイアウトならオーバーシュートが抑えられる分急峻にしてもノイズは小さいと言っていたような

[@komattaa]

竹箸がいいw

[@MOCHIZUKINOBORU]

いままでEVとかアンカーとかドイツさんちのとかTIのマイコンとかだったのでパワー半導体は自力しんどいのかとなめていました。昔はなめられていた中華の防空駆逐艦やミサイルのAESAレーダーかなりやりそうですね。AIはあちら進んでいるものなあ。秋月型護衛艦のFCS-3Aレーダーが窒化ガリウム使ってあのちっこいはんぺんで５００kmいけるとかで日本すごいと思っていたのですがもがみ型フリゲートとミサイルわんさか作る必要がありそうです。

[@yasuhirokouno5198]

窒化ガリウムと言えばパナソニックが世界で初めて開発したのでは？

[@starfighter4662]

私はこういう話大好きですけど、なんせⅠQが低いもんでほとんど理解できません・・。

[@iamnothing-_-]

GaNトランジスタ使用のACアダプタが今後も増えてきて、シリコンのACアダプタは今後なくなるでしょうね。そうなると電子部品屋さんにもGaNトランジスタ単体が売られてくる可能性もあるのでしょうか？

[@user-hs3px4hu3j]

mouserとかdigikeyでもEPCのGaNトランジスタ売ってたイメージです　パッケージが裸でかなり取り扱いが難しそうですが

[@gelsemium_elegans3725]

普通の疑似共振なのでGaNを使ってる割りにはそこまで効率高くないんでしょうね。 リンギング結構出てますが、スナバの設計がそこまで良くないのだと思います。 回路技術はまだ未熟なんでしょうか。 とはいえ、GaNデバイスを垂直統合で生産できるのは素直に凄い。（GaNの結晶成長したことがあるので難しさはよく分かります） 日本はパワー半導体しか取り得が無いのに、次世代半導体の分野でも中国に抜かれてますね。 日本勢も力を入れないとヤバいと思います。（もう遅いか？） TSMCもいいけど、パワー半導体分野に公的資金を注入して強化してほしい・・・

[@gelsemium_elegans3725]

GaNパワーデバイス関連の論文も日本より中国の方が圧倒的に多いイメージです。 InnoScienceは国家のバックアップを受けているという話もあるので、PIの牙城をも崩すかも知れません・・・ 低コストばかり気にして、もたついていた日本の産業界に比べてこういったリスクを取るのは上手いし、産官両面において日本勢は完全に出遅れましたね。

[@Pacmania100]

@@gelsemium_elegans3725 工業系・技術系だけではないのだろうけど、若い人材の卵の多くは、萌え萌え・アニメのハニートラップ攻撃に負け、 社会で活躍して能力を発揮する前に腑抜けにされた感じです。

[@user-hs3px4hu3j]

リンギングはイチケンさんが仰られてるようにプロービングじゃないですかね？

[@slack-no.3]

日本は技術者を大切にしない国民性だから。。 仕方ないね。

[@user-uz9xf9oj8q]

@@gelsemium_elegans3725 私は自動車の分野しかハッキリと分からないのですが、日本の場合は「国が企業努力に頼っている構図」が大体の問題ですね。基本的に「対応は"民間"に丸投げされている状態」なので、企業側が負担とリスクを被って対応しています。国の支援も大体が"ガイドラインや制度を策定"するだけで終わってしまい、「"市場の"環境整備が進まない」ため時間がかかっています。　中国はこの辺の事情は真逆で、介入が強すぎるぐらいやっていますね(善悪は別にして)。 　なお、「日本は技術者を大切にしない」というのも同じ構図です。「日本(政府)は技術者を大切に(できる環境へ整備を)しない」の方が正確かと。

[@mysygisun3335]

軍用・電磁カタパルト、電磁砲等への応用はどうでしょうか。 最初き、chは、米国製の電力装置を密輸入していたようですが、 この5年米穀輸出管理が厳しくなり、内製に切り替えてるようなのですが。

[@knobcreek5361]

GaN素子といえばマニアックなミリオタの間ではF-2のレーダーのAPG-1の素子として有名でしたね。 それが一般層にも広がりつつあるというのはちょっと驚きですね。

[@user-hm8gb8vv7s]

あれ窒化ガリウムだったんだ…！ アクティブ電子走査アレイを使った初の戦闘機とは聞いてたけど、あれ窒化ガリウムの素子使ってたのか… と思って調べたけど、wikiにはヒ化ガリウムって書いてありました、どっちが正しいんですかね？

[@KendleBusterMeim]

F-2が当初積んだJ/APG-1レーダーは、GaAsです。ちなみにこれは世界初の航空機用AESAレーダーでした。 アップデートで積み替えているJ/APG-2がGaNを使ってます。これの開発が始まったのが2003年度なので、GaNの生産が可能になったのがそれくらいなのかも知れませんね。基礎特許がこの頃だとすれば、20年経って特許切れで中国メーカーが生産を始めたのでしょう。

[@knobcreek5361]

皆様ご指摘ありがとうございます。 確かにGaN素子使ってるのはAPG-2の方でした…。 うろ覚えでコメントしてしまい申し訳ない…。 あとついでに調べたところP-1のレーダーのHPS-106もGaN素子なんですね。 こう観るとGaNは近年のレーダー素子として割とポピュラーな物なんでしょうかね？

[@KendleBusterMeim]

@@knobcreek5361 J/APG-2以外で確認できたのは、国内だとF-3用に開発中のAESAレーダー、中SAM改の低空用レーダー、あきづき型のFCS-3A、いずも型のOPS-50、あさひ型のOPY-1、P-1用のHPS-106... と、沢山あるようです。 アメリカだとF-16アップデート用のAN/APG-83、イージス艦用AN/SPY-7(V)1（富士通製を採用）でGaNを使うようです。 F-35用のAN/APG-81がGaAsである所からすると、世界ではまだ新しい技術のようですね。

[@ra2719]

GaN素子はそもそも高輝度青色LEDの研究で初めて量産化されたもの。その高周波特性をレーダーやパワー半導体に転用したのはずっと後の事だ。このようなパターンは珍しい事ではない。真空管のマグネトロンは電力用の低周波管として発明され次第に高周波化、マイクロ波を発振できる段階になるとパルスレーダーに転用され、レーダー製造会社がマイクロ波の水分発熱効果を発見し電子レンジの発明に至る。

[@harsame1998]

GaNをギャンって言う人初めて見た

[@singlefather01]

高速スウィッチング見るんやったらアクティブディファレンチャルは必須だよね、プローブのグラウンドをピンにして短くしたり、きゃぱしたー噛ませたりだましだまし使う方法もあるけど、最終的に1GHzのバンドまでしか見れないからねぇ。スコープも4GHzの8チャン位の欲しいよね。

[@user-ji8wn7ex8r]

GaNパワー半導体は周波数が高い5Gなどの通信で有利なのでは？

[@user-yf9di8mx9s]

まさに５Gの基地局で使われている電力変換素子はGaNです．

[@Pacmania100]

もう一方の次世代半導体のSiCが鉄道車両やEVなどのIGBTに代わる大電力制御向けに全振りしていて、こういう小型向けの製品に積極的でないとか。

[@user-lv4ur4sy9c]

ガリウムっていう元素はあたしの学生時代はソビエトだけが資源として持っていました。今は？

[@balon2753]

黒いけど赤いと3倍早いのですか？w

[@MikuHatsune-np4dj]

中村さんに特許料入ってるのかな

[@user-hs3px4hu3j]

全然詳しくないのですがGaNを用いても30%程度しか性能変わらないんですね 逆回復がない分もっとすさまじく性能がアップしてるのかと思ってました あとGaNの場合でもスイッチング周波数130kHzというのは意外でした GaN使う場合はもっと高速にしていると思っていましたが それ以上にしてもトランスの小型化にはつながらないんですかね？ 周波数上げた場合のスイッチングロスとトランス小型化のトレードオフみたいなことなんでしょうか？

[@user-mz9fh1t32]

30%程度は草 十分すぎるやろ・・・

[@ICHIKEN1]

変圧器はこのクラスは元々小型です。なのでスイッチング周波数を従来のSi半導体と同じか少し高いくらいに設定して発熱と小型化のバランスを取っています。

[@user-hs3px4hu3j]

@@ICHIKEN1 なるほどコメント頂きましてありがとうございます！スイッチング周波数は同等か少し高いくらいなんですね！ GaNの採用理由がQrrを0にするためってことなんですかねえ　もっと色々勉強したくなる良い動画ありがとうございます

[@TM-gb4fb]

最先端の競争だと0.1％を争ってるよ！

[@Cyan_pro04]

高周波化するとトランスは次世代のコア材が出ない限り小型に限界があります。また、高周波化に対応したコンデンサ類はフィルムコンデンサでも容量特性が有効な範囲での制限が掛かります。コンデンサも次世代材料が出ないとダメですね。

[@km5054]

京都大学生が起業した　パワー半導体とおなじものですか❓❓

[@22kyuq18]

発熱を利用したら温泉卵ができるやん❗

[@poparuaru]

「ギャン」？「ガン」「ガァン」じゃ。「ヤ」はどこにも。ちなみにSiCは「シック」が好きだけど、ロームの営業の人には通じなかったです。「エスアイシー」と読んでいました。

[@SlTFShReCA]

イチケンさん、「す」の発音変わりましたね

[@KAITEN_ttrpm]

見てる奴はちゃんと見てるから。

[@Fang_of_Skyrim]

「ギャンはホットだぜぇ」って言うのが分かりました！キシリア様に報告しときます。

[@ROBOSKIJ]

あれはいいものだ～

[@user-sp8dr9vw6c]

例え、半導体自体が温度に耐えられても、それを電気的につなげているのは ICの中も外も半田という高温で溶ける金属です その半田は１００度を超えると劣化（酸化）が始まる だから、パソコンに使われるCPUクーラーはかなりの放熱効果があり それでも足らないと水冷等で強制的に温度を下げる仕様がある CPU自身は大抵８０度の温度上昇まで耐えられる設計ですがその温度になる前に ６０度位で速度制限がかかり温度がそれ以上に上昇しないように制御しているのは 製品の劣化を防ぎ安定的に動作させるためです 装置のディレーティング考えないと、どんなものでも短時間で壊れる だから、高温でも動く設計だからいい・・・訳ではありません 中国製が壊れやすいのはこういう耐久性を意識（制御）せずに造ってる 中国は昔から大量生産・大量消費の国で周り中ゴミだらけにしている むしろ早く壊れてくれなければ次の製品が売れませんから、耐久度は無い方が儲かる 消費者にとって高価な部品が簡単に壊れれるのは手痛い出費でデメリットしかない

[@user-zi1qf3lr6e]

イイね　難しい😥

[@reika927]

背景中国🇨🇳にしたイチケン好き

[@Ataruu]

他の半導体と同様にパワー半導体も中国の半導体メーカーが勃興していますが、技術的に習得しやすいものなのでしょうか。 それとも、他の産業と同じく企業スパイとか国家的スパイとかでの技術的漏洩が影響しているのでしょうか。あまりにも早くて不思議です💦

[@user-fl7vz6lx6p]

サムネイルが赤いなｗ

[@pico.8449]

研究室の人が言ってたけども日本は研究費として大学にあんまりくれなくなったからパワー半導体の大学での研究は一気に下火になったっていってたなぁ…

[@user-ls9zl2fe5l]

説明にある、FETゲート回路のコンデンサはスピードアップコンデンサではありません。コンデンサの役割はDCバイアス電圧を作り出す為です。　電流を必要とするTRのベース回路と異なり原理的にも動作しません。　高速化するにはゲート抵抗の値を低くするだけで済みます。

[@hai9029]

Xiaomi 11t proを使ってるのだけれど、120wというちょっと充電するのが怖ろしく感じる充電速度の充電器とバッテリーと充電技術。 少し前は18wで急速充電とか言ってたのに、技術の進歩を肌感覚で感じられる程のスピードは、日本企業では無さそうだなぁ...

[@fontono]

発熱を抑えてるとはいえ、この温度では製品としての寿命は短そうですね。 頻繁に使って2年程度もてば良いという感じですかね

[@user-ez5dl5ox9l]

Ankerかw

[@millefeuille4583]

八丈島のギャン🤓

[@gyopicyan999]

そのサイズで６０W以上か？　燃えちゃうねｗ

[@edamaru00]

国策の圧倒的な予算の差で日本開発陣涙不可避