[기초반도체공정|6.4]

[@멍뭉-t7s]

감사합니다

[@박희창-d8m]

대학원 신입생인데 계속 잘 보고 있습니다 교수님 중간중간 대학원 연구실 이야기 해주시는게 큰 도움이 됩니다

[@이혁주-k2x]

감사합니다 ,, ALD의 경우 기본적으로 high quality의 물질을 증착하는것이 목표 같은데,, PEALD의 경우 plasma로 인해 substrate이나, impurity 관점에서 보면 단점 같이 느껴지는데,. 어떻게 이해하면 될까요? 감사합니다~

[@DevicePhysics]

ALD 는 증착속도가 매우 느립니다. 그리고 반도체 양산에서는 동일 시간 대비 얼마나 빨리 공정을 진행할 수 있는지(throughput)도 비용을 결정하는 중요한 요소 중 하나입니다. 따라서 PEALD는, 질문한 것과 같은 contamination 이슈는 다소 포기하더라도 증착속도를 증가시키기 위한 방식입니다.

[@이혁주-k2x]

@@DevicePhysics 넵 이해했습니다 감사합니다!

[@최원선-q2h]

교수님, LPCVD가 PECVD보다 더 좋은 film quality을 얻을 수 있다고 하셨는데, ALD에서는thermal ALD 보다 PEALD에서 더 좋은 film quality을 얻을 수 있는 이유를 알 수 있을까요? 두경우 모두 열에서 플라즈마로 바뀐건데 film quality는 왜 반대로 되는건지 모르겠습니다.

[@DevicePhysics]

공정은 변수가 워낙 다양해서 꼭 무엇이 다른것보다 좋다라고 말하기도 어렵고, film 의 quality 라는 것도 어떠한 점을 중요하게 생각하느냐에 따라 달라질수도 있습니다. 아무튼, 서로 상대적으로 비교해서 이해하면 좋습니다. LPCVD 는 PECVD 보다 증착온도도 높고, 증착속도도 느립니다. 일반적으로 증착할 때, 온도가 높고 속도가 느리면, film 의 quality 가 대부분의 경우 좋아 집니다. 반면 ALD 는 이미 원자층 단위로 증착하는 방식이기 때문에 film 의 quality 는 thermal ALD 이던 PEALD 이던간에 둘 다 좋습니다. 다만 플라즈마의 에너지를 추가해주면, 화학반응이 촉진되면서 매우 드믈게 발생하는 빈 화학결합(dangling bond)을 방지할수도 있으며, 더 큰 장점으로는 낮은 온도에서 증착할 수 있게 됩니다.즉 ALD 에서 film 의 quality 비교는 그다지 중요하지 않은 부분이고, 다른 점들을 비교하면 좋을 것 같습니다.

[@최원선-q2h]

@@DevicePhysics 친절한 답변 감사드립니다!!

[@냑냑-v1r]

안녕하세요 교수님!! 좋은 강의 잘 듣고 있습니다. 혹시 공부한 내용을 제 블로그에 정리해서 보관해두고 싶은데 강의 자료와 내용이 사용되어도 괜찮을까요? 출처는 밝힐 것이고 금전적인 이득도 전혀 취하지 않을 것입니다!! 공부한 자료 정리 용으로 적어두고 싶어서요!

[@DevicePhysics]

네 괜찮습니다.

[@soo4997]

교수님 혹시 PDL이 뭘까요?? 펄스 관련된 공정인가요?😮

[@DevicePhysics]

모르겠습니다. full name 을 알아야 알 수 있을것 같습니다.

[@Thevaluez]

Pulsed laser deposition 을 말하는거 같습니다.

[@theadler8232]

mocvd방식은 추후 다루실 예정이신지 궁금합니다 ㅎㅎ

[@DevicePhysics]

mocvd 는 제가 직접 사용해본경험이 없어서 epitaxy 를 강의할때 가볍게 다룰 예정입니다.

[@김다훈-s9f]

안녕하세요 교수님!! 정말 이해가 쉽고 교수님 덕분에 어려움없이 공부를 진행하고 있습니다. 그래서 강의내에서 설명하시는 부분중 사진부분에서 아주 일부분을 인용하고 싶은데 혹시 가능할까요?

[@DevicePhysics]

네 가능합니다.

[@kkkukkkk]

강의 늘 감사합니다 교수님! PEALD 관련하여, 궁금한 부분 두가지만 여쭤봐도 될까요? 1. 혹시, PEALD에서 plasma power가 강해지면 전구체의 리간드가 파괴될 수도 있다고 들었는데, 여기서 리간드의 파괴란 reactive site사이의 화학적 결합의 파괴인건가요? 여기서 말하는 '전구체 리간드의 파괴'가 정확히 무엇을 뜻하는지 궁금합니다. PEALD의 전구체 주입과정에서 전구체의 리간드가 reactive site와 화학결합을 형성하며, 리간드가 끊어지는 것으로 알고있는데, 혹시 제가 잘못 알고 있는 것일까요? 2. 파괴된다면, 그 이유는 플라즈마 파워의 증가로 인한 radical때문인지 궁금합니다! 감사합니다.

[@DevicePhysics]

그냥 precursor 의 화학적 구조가 파괴될 수도 있다는 뜻입니다. 본 강의의 TMA처럼, 보통 precursor 는 중심원자와 주변에 리간드들이 결합한 형태의 분자 구조를 가집니다. 이 결합들이 플라즈마의 에너지 때문에 끊어질 수도 있습니다.

[@김주영-d7s]

교수님 감사합니다…😍😍

[@이하-r6d]

좋은 강의 감사합니다!

[@loling3846]

안녕하세요 교수님!!! 혹시 강의 내용 제 공부하면서 블로그에 포스팅해도 될까요'?? 내용은 링크를 통해 교수님 강의 출처는 꼭 올리겠습니다.!

[@DevicePhysics]

네 좋습니다!

[@상남자2-s5k]

교수님 항상 감사드려요!!