Ge基BJT 速度(BW)遠高於Si基,: Ge 基電洞 mobility 是 Si 二倍, 價電子速率是 Si 四倍, Barrel voltage 及接面啟動電位只有矽1/3~1/5。但Ge活性大接面氧化物不穩定及低溫工作的限制了電晶體應用, 以上是microelectronics 基本的知識, 肌肉男要花點時點補充電子學概念. CMOS 製程主要應用在於(數位)邏輯元件, Si基能用簡單的時序模型作為STA,這是VLSI發展的基礎
@mff301 Жыл бұрын
身材愈來愈棒,才貌兼備。
@sizuzhang4159 Жыл бұрын
都能听懂,谢谢分享,我也是特斯拉用了碳化硅后才对这块逆变器有所了解😊
@JohnBrooks106 ай бұрын
About me | 关于我: 我是谈三圈,很高兴在这里认识你。 芯片大厂工程师| ACE认证健身教练|德国老司机|萨克斯手