Application MOSFET : Protection contre les alimentations en inversion de polarité

Lorsqu'on conçoit un circuit pour lequel on ne fournira pas l'alimentation, il y a toujours le risque que l'utilisateur finale connecte une alimentation en inversant les polarités. Cette vidéo propose différentes solutions pour protéger les circuits de ce type d'erreur et s'arrête plus particulièrement sur une approche exploitant un transistor P-MOSFET dont la diode inverse assure la conduction initiale, laquelle est ensuite relevé la mise en conduction du MOSFET par l'intermédiaire du diode Zener connectée sur VGS.

[@georgesbrunel7834]

Merci pour l'astuce je n'y avais pas pensé j'étais reste avec la diode

[@jfmahe1407]

Je confirme que cette série sur les MOSFETs est géniale :-). Merci

[@LaurinusPonpon]

Super vidéo ! J'apprends beaucoup grâce à tes vidéos.

[@Pkemarco]

Magnifique. Merci encore pour ce flot de connaissances !

[@patricklevec]

Bonjour et merci pour ces vidéos. Je suis un électronicien formé au début des années 80 (ZX Sinclair !) et quelque peu éloigné du fer à souder depuis. Je prends un réel plaisir à suivre votre enseignement sur ces "nouveaux "composants, le tout expliqué avec une grande pédagogie, et le juste niveau de technique pour que ce soit réellement compréhensible (je veux dire sans équations différentielles....) Bravo.

[@EricPeronnin]

Merci pour votre commentaire qui me rappelle pourquoi je n'ai pas encore réalisé mes vidéos sur les oscillateurs non-sinusoïdaux, justement à cause des équations différentielles même si dans ce cas précis, elles ne sont que du premier ordre et donc totalement abordables en se posant un peu.

[@EricPeronnin]

Petit complément à ma réponse précédente : en électronique, on se contente d'équa.diff. très simples. Toujours les mêmes ou presque. Il suffit d'apprendre leur solution et on s'en tire très bien sans être un spécialiste des équa.diff. Ma prochaine vidéo sur le circuit R-C série en transitoire traite de cela. Je vous la recommande car elle pourra vous faire changer d'avis sur ce point.

[@patricklevec]

@@EricPeronnin Bonjour, je la regarderai, promis ! Je voulais surtout mettre en avant le côté pragmatique de vos explications, bien loin de l'approche "uniquement" mathématique qui peut effrayer ceux dont le Bac "C" (rien que la lettre !) est lointain. Merci.

[@moriergael2023]

Merci pour cette vidéo très complète qui me fait rager sur certains matériels que j'installe dans le domaine automatismes industriels qui ne sont pas protégés contre les inversions de polarité. Dernier en date, un convertisseur serial RJ45 pourtant vendu 170 euros...

[@EricPeronnin]

C'est sûr que quand l'alimentation se fait par un bornier, on arrive vite à des catastrophes. Merci pour votre retour d'hier ;-)

[@robinp.9886]

J'utilise la diode classique avec une tension d'entrée un peu supérieure aux besoin. Je vais tester cette alternative.

[@anthony3604]

Wow super video merci !

[@Damien-G]

Bonjour, merci pour ces supers vidéo. Auriez-vous un exemple de référence de MOSFET pour une protéger une alimentation d'ESP32, soit 3,3V et 300-500 mA, svp ? Merci.

[@electronicdiy3738]

Salut, votre approche exploitant le transistor P-MOSFET comme alternative à la diode protectrice contre une polarité inverse s'avere utilement pratique avec les atouts qu'il présente, je propose de substituer un zener programmable TL 431 au diode zener il est plus commode depuis que l'on puisse ajuster la valeur de tension en agissant sur la résistance variable régulant le TL 431,en outre un tel procédé de réflexion a la chance de s'intégrer (entre autres ) comme branche au sein de la discipline de l'éléctronique et songer à concevoir ce prototype embarquant le TL 431 sous forme d'un circuit integré, à l'instar de cette approche il existe un effet du mosfet dit

[@sonogironde4256]

Bonjour M PERONNIN, Si on branche la source du coté de l'alimentation et la charge sur le drain ca fonctionne également. Quelle est la différence ? Merci.

[@EricPeronnin]

Bonjour. Si on inverse le sens du MOSFET, ça ne peut pas fonctionner. Comprenez bien ce qui est expliqué dans la vidéo : ce qui permet de rendre le MOSFET passant, c'est le fait que la diode interne Drain Source est passante au départ et c'est ce qui fixe un VGS permettant ensuite au canal du MOSFET de prendre le relais.

[@sonogironde4256]

@@EricPeronnin si on met le V+ sur la source et la grille à la masse on a VGS négatif donc le MOSFET P est ON non ? On retrouve souvent des MOSFET P utilisé de cette façon comme ici : electronique71.com/theories-mosfet-canal-n-et-canal-p/ . J'ai également fait la simulation sur TINKERCAD :) et ça fonctionnerait.

[@sonogironde4256]

@@EricPeronnin Bonjour M PERONNIN, j'ai revu cette vidéo et j'ai compris pourquoi c'est le drain qui doit être côté alimentation. Si on met la source côté alim on peut rendre le transistor passant mais si on inverse la polarité le courant va passer par la diode de body.

[@jean-claudecarre3202]

Au risque de dire une ânerie, ne serait-il pas possible d'utiliser un MOSFET canal N dans la ligne d'alimentation négative afin de profiter du meilleur Rds(on) de ce type de transistor ?

[@EricPeronnin]

Ce n'est pas une ânerie. Cela dépend des applications. On évite souvent de mettre un élément dans la ligne de masse.

[@abegafouda9136]

Excellent...

[@stephanepassignat9333]

Merci pour cette série de documentaires. Comment calculeriez vous la valeur de la Resistance R ?

[@jeanbernier]

Bien !!

[@jeanphilippelarre4218]

Bonjour, j'apprends énormément avec vos vidéos, explicatives et qui ne négligent pas le coté pratique en donnant des exemples de composants. Merci. Vous parler d'une pompe de charge avec le MOSFET N, avez vous fait une vidéo sur les convertisseurs boost? Sinon j'en cherche une explication avec les équa dif, ce que je rencontre sur le net ne me satisfait pas. Merci encore

[@EricPeronnin]

Bonjour. Je ne suis pas un spécialiste des pompes de charge. Pour autant, il est possible de les étudier sans équation différentielle dans une première approche puisque leur principe repose sur des transferts de charge. L'aspect différentiel n'intervient que lorsqu'on prend en compte les résistances séries des condensateurs et résistances parasites de liaison, ce qui, me semble-t-il, n'est pas d'une absolue nécessité. Pour en savoir plus sur le fonctionnement, deux bons articles : file:///C:/Users/eric/Downloads/electronics-08-00480.pdf www.ti.com/lit/an/slva398a/slva398a.pdf Ce qui est intéressant avec les pompes de charge, c'est aussi d'étudier les différentes topologies existantes. Un exemple avec : www.maximintegrated.com/en/design/technical-documents/tutorials/7/718.html Globalement, les sites des fabricants de circuits intégrés sont d'excellentes sources d'informations sur ce sujet (comme sur tous les autres d'ailleurs).

[@pierrearena6313]

Bonjour et merci. Je ne comprend pas pourquoi de 5V, moins la tension de diode (0,7) on viens on a 4,3 mais que ce 4,3 deviens - 4,3 pour la masse, il devrait etre de =',3 puisque plus 5V moins 0,7 cela fait plus 4,3?? merci de votre explication.

[@EricPeronnin]

Bonjour. On s'intéresse ici au VGS du MOSFET P. VGS = VG-VS=0 - (+4.3) = -4.3V

[@brunogavrel5347]

Bonjour, superbes vos vidéos. je comprends pour une alimentation positive mais si on a une alimentation symétrique +/-15vdc... pour la partie négative Comment fait t’on ? On remplace le canal p par un canal n et on inverse la zener ? Merci de votre retour

[@ClaudeDufourmont]

Bonjour Eric, très intéressant juste une petite question sur la diode anti parallele du mosfet, où savoir dans le datasheet le courant qu'elle peut supporter (donc dans la phase de mise sous tension)?

[@EricPeronnin]

Bonjour Claude, très bonne question. Importante car ce courant est toujours inférieur à ce que permet le transistor dans son fonctionnement normal. C'est le Maximum Continuous Body Diode Forward Current. Pour un petit mosfet canal N comme le DMG2302 que j'utilise souvent, il est de 1.1A alors que le courant de drain maximum est de 2.8A. Ce n'est donc pas un détail. Cordialement, Eric

[@ClaudeDufourmont]

@@EricPeronnin Super, merci Eric, je vais regarder ça de près pour mes mosfets habituels, je regardais ta présentation sur les convertisseurs de niveau et me posais la question si tu avais déjà fait quelquechose (à base de mosfet) sur une porte bidirectionnelle (logique) commutable, c'est pour mes programmateurs automatiques d'ATtiny85 (et 84). Dans mon projet les analog switches ne me conviennent pas.

[@bobdoritique7347]

Merci Eric. Intéressant, en effet. Une autre solution serait de mettre un TVS en parallèle de la charge. Ce composant magique répond à l'inversion de polarité et à une suralimentation. (kzbin.info/www/bejne/ipqXlHqgj697ha8)

[@EricPeronnin]

Je connais bien les TVS. Alors, cela répond à l'inversion de polarité mais cela court-circuite l'alimentation dans ce cas et explose dans la foulée sauf si on a mis un fusible de protection, qui peut être électronique réarmable. La solution fusible réarmable + transil, pourquoi pas mais c'est au moins 10 fois le prix d'un MOSFET. L'idée est bonne à conserver si on souhaite avoir l'avantage supplémentaire de protéger contre les surtensions. Merci pour la remarque.

[@denis52100]

bonjour tu peux me donner l'équivalent d'un mosfet ag744c fhp150n03 merci d'avance

[@arbiboussandel9228]

Le courant du transistor MOS - P normalement à l'envers

[@mohammadamri4646]

c'est très intressant ce que vous expliquez mais dommage que on entend pas assez bien