Transistor bipolaire : Effet Early et Résistance de sortie du transistor bipolaire

[@moriergael2023]

Très sympa cette vidéo, j'ai bien souvent regardé ces pentes sans y mettre de nom ni de théorie. Ça fait du bien combler des lacunes, même à cinquante ans.

[@EricPeronnin]

C'est souvent cité dans être toujours bien étudié.

[@michelhamon5667]

A soixante aussi..

[@jfmahe1407]

Merci pour cette vidéo. C'est beaucoup plus clair dans mon esprit.

[@pplemoko5342]

Vidéo très éclairante sur transistor et sa compréhension. Merci

[@AngusBox]

1000 merci de revenir sur la théorie.

[@EricPeronnin]

C'est indispensable pour comprendre le reste. Et ce ne sont là que des choses élémentaires. A suivre ...

[@olivierfournet4250]

merci avec cette vidéo très intéressante

[@EricPeronnin]

Et d'autres viendront :-)

[@michelhamon5667]

Aucun souvenir de cet effet early, ça devait être trop tôt pour moi. Merci.

[@EricPeronnin]

C'est bien présent dans tous les ouvrages mais je pense en revanche que ce n'est pas toujours enseigné. Cela permet pourtant bien de comprendre d'où vient la résistance de sortie du transistor bipolaire.

[@alainav1]

merci pour cette excellente vidéo !.Je pratique l 'électronique de façon très amateur je vois ici quelques µA pour le courant de base cependant dans mes schemas je vois que l'intensité de base necessaire est de de plusieurs mA ? (trasistor 2n2222 utilisé en commutation par exemple )

[@EricPeronnin]

Bonjour Alain. Oui, je me suis placé dans le cas d'un transistor utilisé en analogique avec une orientation microélectronique où les courants sont beaucoup plus faibles qu'en commutation. Je dois commencer une série microélectronique prochainement où on verra que les courants sont encore beaucoup plus faibles.

[@alainav1]

@@EricPeronnin merci !

[@abdelhakrachad3732]

Bonjour, de quoi dépend VA ? est-ce une caractéristique du transistor ? qu'on pourrait trouver dans les datasheets ?

[@EricPeronnin]

Bonsoir. Cela dépend des caractéristiques géométriques du transistor et des concentrations en dopants. Pour la valeur, bonne question que j'aurais du documenter dans cette vidéo. Les datasheets ne fournissent pas VA mais l'admittance de sortie pour plusieurs valeurs de IC. L'admittance de sortie, en réalité la conductance car elle est réelle seulement, est généralement notée hoe dans la documentation et s'exprime en Siemens. Les américains l'expriment en µMhos. On avait IC=VA/Ro, on a maintenant IC=VA*hoe soit VA=IC/hoe Pour le MAT04 utilisé dans la vidéo (www.analog.com/media/en/technical-documentation/data-sheets/MAT04.pdf), hoe est donné sur la figure TPC 6. Pour IC=100µA, hoe=1µMhos on a alors VA = 100e-6 / 1e-6 = 100V (pas tout à fait ce que j'obtiens à partir des courbes simulées avec Orcad pSpice pour le MAT04...

[@ivankouemo8293]

Une question svp, serait-il possible d'enregistrer une video au sujet du calcul de la Résistance d'entrée et sortie selon le branchement du transistor, notamment le branchement collecteur, Base et emetteur?!? Merci bcp :-)

[@antibullingl1032]

On m'a pas expliqué ca à l'iut en 1982

[@EricPeronnin]

Je ne l'expliquais pas à mes étudiants en 95... J'aurais du car le phénomène est facile à comprendre et permet ensuite de comprendre aussi les modèles équivalents des transistors bipolaires.