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サイエンスニュースを伝える「理系通信」。今回のテーマは「半導体」です。アメリカのパデュー大学や宇都宮大学などの日米研究グループは、最先端の半導体を製造するうえで欠かせない「EUV露光装置」において、光源の変換効率の理論上限が10.3%であること、そしてそれを実際に達成するための条件を明らかにしたと発表しました。現状の変換効率は5~6%なので、それを約2倍にできるという報告です。EUV露光装置による莫大な電力消費は、最先端半導体を作る際の一つの”大問題”で、それを解消する有力な策となるかもしれません。研究チームはどのようにして効率2倍を達成したのか、また、EUV露光装置の分野で、日本は高いポテンシャルを持ちながらなぜ“敗れた”のか、また今後日本にチャンスはないのか。詳しく伝えます。
※引用元
●論文:Optics Express(2023)
Atsushi Sunahara, Ahmed Hassanein, Kentaro Tomita, Shinichi Namba, and Takeshi Higashiguchi
Optimization of extreme ultra-violet light emitted from the CO2 laser-irradiated tin plasmas using 2D radiation hydrodynamic simulations
opg.optica.org...
●プレスリリース:宇都宮大学のHP
【研究成果】EUV光源の世界最高変換効率(理論値)10.3%の達成 ― 超微細の先端半導体製造の省エネ化にブレークスルー ―
www.eng.utsuno...
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