Cours d'électronique : Le transistor MOSFET. Partie 1 : Présentation. Caractéristiques. Equations

[@ayoubhk3954]

Merci beaucoup Mr Eric pour ce cours ,j 'avais tellement besoin.

[@amarlarem1948]

Merci pour tous les efforts que vous fournissez Pour partager votre savoir pour les autres

[@YounesYounes-hg6yc]

Merci, tu es un merveilleux professeur

[@abdoulayebalde2510]

Vous êtes très fort Mr Peronnin.

[@didiersee]

Magnifique, congratulations from Belgium, je suis retraité mais toujours passionné et vous me faites penser à un prof d'électronique de mes jeunes années. A très vite pour vos prochaines vidéos.

[@EricPeronnin]

Merci Didier.

[@jeanyves5380]

Bonjour, ce transistor a vraiment révolutionné les alimentations à découpage. En général on les utilise plus en saturation de puissance et en fréquence assez élevée. Les bipolaires ne sont quasiment plus utilisés dans ce domaine. Pour les mosfets ce qu'on regarde c'est le RdsON constructeur. Et aussi la capacité d'entrée ciss, ainsi que les rise time et fall time. Je les cites en anglais j'espère que tout le monde comprendra. On doit aussi tenir compte de la capacité du circuit de puissance (sortie) car il peut perturber notre montage. Après et bien son courant max et c'est terminé. J'ai fait un ampli à découpage et j'ai pu trouver des équivalents qui marchent très bien en épluchant les datasheets. On trouve aujourd'hui des mosfets CMS (SMD) qui refroidissent sur le cuivre du circuit imprimé sans radiateur externe car leur RdsON est vraiment faible. A plus sur kicad6. Je suis toujours à 5 qui marche très bien et me suffit pour l'instant. Je passe beacoup de temps à router mais en électronique de puissance, je préfère le faire moi-même.

[@takoroto8809]

Merci beaucoup , c est trés bien éxpliqué

[@sciencedusoi-arthurmantes6315]

Merci Eric, au top, hyper clair !

[@gerardmansoif2183]

bonjour merci pour ce travail et surtout le partage: bon esprit!!!

[@alsuro]

J ai découvert votre chaîne: excellent ! bravo pour toutes ces explications.Merci (je me suis abonné)

[@EricPeronnin]

Merci et bienvenue

[@retimsaadjiji]

Merci pour votre explication

[@romainmarquois2347]

félicitations. cours très bon et très complet.

[@EricPeronnin]

Merci :-)

[@vag4701]

Eric t'es le sang de la veine

[@macgyver5157]

très bon travail... un exemple pour d'autres personnes

[@EricPeronnin]

Merci. J'essaierai de mettre d'autres cours en ligne dans le même esprit l'an prochain.

[@abrahamadam8357]

Salut merci pour votre aide et votre conseils

[@Ptittom18]

Super cours 🙂

[@bobdoritique7347]

Merci vraiment clair. Je dois admettre avoir des faiblesses sur les MOSFETS.

[@bobdoritique7347]

Merci très instructif.

[@ahmedelouni3039]

tres clair . son cv. detaillé et c'est bien de comparer avec ce que nous savons sur le bipo ca restitue et enrichie

[@alaing.6665]

Bonjour, à 3:52 le courant de sortie annoncé ne serait-il pas de Ic + Ib ?? Merci

[@EricPeronnin]

Bonjour Alain. Pour le bipolaire, l'entrée se fait côté Base et Ib est donc le courant d'entrée. La sortie se fait côté collecteur et on considère que le courant de sortie est Ic. C'est le cas du transistor bipolaire en émetteur commun et c'est ce mode qui fait référence pour exprimer le coefficient d'amplification en courant du bipolaire avec Ic=beta Ib Rien d'anormal dans la vidéo donc.

[@alaing.6665]

Merci pour la réponse@@EricPeronnin, mais en tant que débutant (Web-didact), j’avoue ne pas avoir saisis votre explication. Du coup, je me suis empressé d’aller visionner votre vidéo consacrée au transistor bipolaire (#1) et à 17:17 vous annoncez bien que le courant de sortie Ie = Ib+Ic … Alors quoi comprendre …?? J’ai loupé une marche ??

[@EricPeronnin]

Dans la vidéo sur le transistor, je parle plus précisément de noeud de sortie. Quand vous faites la loi des noeuds sur un transistor bipolaire, vous regardez la somme des courants positifs qui entrent dans le transistor (Ib et Ic) et la somme de ceux qui en sortent (Ie). D'où les mots entrer et sortir relatif à la loi des noeuds. Quand vous jugez le pouvoir d'amplification en courant du transistor, vous vous placez dans la situation où le transistor est câblé en émetteur commun, donc émetteur à la masse. L'entrée se fait au niveau de la base (Ib) et ce qu'on exploite comme courant de sortie de ce quadripôle se situe au niveau du collecteur (Ic). Et finalement, vous avez Ic=beta.Ib qui donne bien une relation entrée/sortie intéressante car elle traduit l'amplification en courant. Pour comprendre, vous pouvez voir le cas où on pilote un relais avec un transistor bipolaire (voir la vidéo sur le sujet) et vous constaterez que c'est bien le courant collecteur qui circule dans le relais et que c'est donc bien lui qui fait figure de variable de sortie.

[@alaing.6665]

@@EricPeronnin Ce coup-ci, j’assimile mieux la différence entre les 2 vidéos. La première vidéo et à ce moment précis, ne traite que de la loi des noeux. Loi qui vérifie que la somme des courants entrants est égale à la somme des courants sortants. La deuxième, elle, (à ce moment précis) ne prend en compte que l’explication concernant le calcul du gain entre base et collecteur tout en faisant abstraction de la sortie émetteur. Emetteur, qui malgré tout, cumule les courants entrants sur « base » et « collecteur ». La différence de référentiel entre les deux vidéos ne m’avait pas sautée aux yeux en première lecture. Merci d’avoir pris le temps de lever mon doute sur la compréhension de ces deux vidéos.

[@jean3525]

DRAIN : par ou sortent les electrons est la broche centrale et ou la broche du dessus ?

[@EricPeronnin]

Par le drain. Aucun courant ne circule dans la porte.

[@cosanostra8341]

bjr question generale svsavez vous comment le spectre change quand le processus de commutation devient plus rapide,

[@EricPeronnin]

Bonjour. Réponse tardive... L'étude du spectre en fonction de la fréquence de commutation nécessite de prendre en compte les capacités parasites du MOS. Cela remonte à trop longtemps pour moi et je n'enseigne pas ces aspects à niveau DUT.

[@supremetriarii9110]

Bonjour, quelle utilité de lier la source au substrat pour le mosfet?

[@injectionmecaniquers]

Bonjour Eric . Merci pour cette avalanche d'informations. Malheureusement, mes modestes connaissances ne me permettent pas de résoudre mon problème: Je suis garagiste, spécialisé dans les "classics" . Christian (perlor radio; qui n'existe plus) m'avait conçu un allumage électronique avec un IRGB 14C40L. Ça fonctionne parfaitement avec des bobines d'allumage de 3 ohm. Mon souhait est de placer une bobine 0.7 ohm. l'étincelle est impressionnante et le moteur (très poussé !) fonctionne bien mieux. Sauf que ça grille au bout de quelques minutes . Je suppose que c'est une question d'intensité. I=U/R soit 14volt/3ohm = 5A et avec une bobine de 0.7ohm on a 20 ampères.....Mais je n'arrive pas à déterminer avec certitude quel IGBT acheter. on trouve de très fortes intensités (des 50A, des 70A, etc) peut être que vous pourriez me dire avec certitude ? Voulez vous le schéma ? Mais je sais pas comment vous l'envoyer. Il y a 2 résistances 1k ohm, une zener 4.7v (je suppose que c'est pour avoir 4.7v à la borne G. il m'avait aussi mis un transistor NPN (exemple 2N2222) et une diode 1N4007 ("pour les étourdis", avait il écrit ! C'est le rupteur de l'allumeur qui commande la broche centrale du petit transistor. La broche E de l'IRGB est à la masse. La borne C est raccordée au "moins" de la bobine. Et l'autre borne de la bobine reçoit un +12 volts. Merci !

[@karimhamdi1932]

Merci Monsieur pour cette présentation Mais je trouve que la partie où on a déduit la zone homique est une analyse facultatif par ce que de tout façon on le remarquerait une fois qu on a traçé la droite de charge..... Merci encore ...c une présentation qui m'a aidé à se débarrasser de la confusion que je avais vis a vis des calcule des transistor FET

[@misterarnaud3807]

salut , pour augmanter le courant d un controleur ( en accéleration d un moteur ) est ce que le fait de changer le MOFSET et valable ????? et si oui faut il un mofset d une valeur superieur ou inferieur ????

[@EricPeronnin]

Bonjour. Les choses ne se passent pas comme ça. Ce n'est pas au mosfet de déterminer le courant dans le moteur. C'est la différence de potentiels commutée et la charge sur l'arbre du moteur qui impose le courant. Il faut donc choisir le mosfet pour qu'il soit compatible avec ce courant en valeur maximale.

[@misterarnaud3807]

@@EricPeronnin merci de votre reponse BOOSTER UN CONTRO DE TROTTINETTE POURRAIT PEUT ETRE FAIRE UN PROCHAIN SUJET ??? ET AUSSI LE BROUILLAGE DES PROCESSEURS PAR AIMANT NEODIM PUISSANT ??? COMME LE FAISAIT LES ROUTIERS DANS LE PASSE ? RENDU AUJOURD HUI IMPOSSIBLE !!! CORDIALEMENT

[@radiaradiabairi886]

bonjour je n'ai pas trouvé lavideo sur le bipolaire pourriez vous mettre le lien de cette derniere

[@EricPeronnin]

Bonjour. Je n'ai pas réalisé de vidéo sur le transistor bipolaire. Pas plus que sur le JFET. J'ai juste un powerpoint général sur les transistors disponible sur mon site : geii.eu

[@fabienpregaldiny3549]

Bonjour, présentation intéressante et très bien faite, bravo. Je me permets juste une remarque que je fais à mes étudiants, on peut tout aussi bien voir le transistor bipolaire comme une source de courant commandée en tension, à l'image du MOSFET, sa transconductance étant définie comme pour un MOS (gm=ic/vbe en équivalent à gm=id/vds, notations en dynamique) ; les concepteurs analogiciens utilisant beaucoup cette grandeur, y compris pour le bipolaire. Donc en résumé, un TMOS est une source de courant commandée (exclusivement) en tension mais un transistor bipolaire est une source de courant commandée en courant OU en tension.

[@EricPeronnin]

Bonjour Fabien. Oui, bien sûr mais avec un gm qui varie lui même considérablement en fonction du point de polarisation et que l'on introduit UNIQUEMENT pour les analyses en petits signaux. En grands signaux, contexte de la comparaison que j'effectue, ce n'est pas parce qu'il y a l'expression Ic=Is.exp(Vbe/Vt) qu'on peut dire que le bipolaire se commande en tension. La plage utile sur Vbe est dérisoire, bouge avec la température, d'un échantillon à un autre, et en sortir, c'est détruire la jonction BE. Cela justifie ce qui est communément admis, qu'en grands signaux et compte tenu de la relation linéaire entre IC et IB et celle très non-linéaire (exp) entre IC et VBE, on compare MOSFET et bipolaire en les jugeant respectivement sur leur commande en V ou en I. Vouloir contrôler en grands signaux le VBE passe finalement par le contrôle de IB. Le concepteur de circuit analogique se place davantage en petites variations, ce que je n'aborde pas du tout pour le moment dans mes vidéos, faute de temps. Un jour peut-être et là, je ferai intervenir cette commande en tension. Donc cette remarque faite aux étudiants doit, à mon sens, être largement étayée par ses conditions d'application. PS : je vois que vous avez travaillé sur les MOSFET et ai téléchargé votre thèse pour commencer à combler toutes mes lacunes dans le domaine.

[@fabienpregaldiny3549]

Oui, c’est bien pour cela que j’avais précisé, en dynamique (petits signaux). En grands signaux ou en statique, effectivement la vision classique de la source de courant commandée en courant est plus usuelle. Mon cours traite de l’amplification BF et traite également du dimensionnement au niveau transistor (W et L). Bonne continuation.

[@radiaradiabairi886]

auriez vous une video sur le transistor JFET

[@electroamateur6035]

Bonjour, quelle difference entre un thrysitor et un transitor?

[@JoZf_Gibson]

Merci

[@doubytchou4254]

Bonjour, Vos vidéos sont très intéressantes. J'ai cependant une petite question : Je suis en train de faire le choix d'un MOSFET canal P (IRF5305) pour un circuit de puissance en 48vcc, je me rend compte dans la datasheet que j'ai deux caractéristiques qui me dérange... - VDSS = -55v (si je comprend bien c'est la tension max que l'on peut "couper") -VGS max = -20v Hors pour moi, sur la source j'aurais 48Vcc, donc si je met la grille à : -48Vcc j'aurais bien mon VGS à 0( le MOSFET sera bloqué) -0V mon VGS < VGSth (MOSFET passant) mais dans ce cas VGS

[@laurentmarion165]

Bonjour; je fabrique un cube de led rgb 8x8x8, quel condensateur dois je mettre en c9? ce n'est pas indiqué et je suis débutant. Merci: drive.google.com/open?id=1BDmnFEYeAzXI-rClsZlwfKJmOZz9lPdW

[@EricPeronnin]

Bonjour. C'est une capacité de découplage pour un circuit logique. On met généralement une capacité céramique de 100nF. Eric

[@1310heid]

Merci, effectivement c'est très complet ! dommage que tu n'est pas parlé de l'effet Early à la fin.

[@EricPeronnin]

Merci. Effectivement, cela pourrait être plus complet. J'ai monté ce cours pour l'IUT de Nantes et cela correspond aux attentes au semestre 1 du DUT GEII. Tout ce qui concerne les capacités parasites du MOS n'est pas abordé non plus et c'est pourtant un point essentiel quand on monte en puissance/fréquence. A suivre donc ....

[@fabientuizat1129]

est ce que à 1 59 les flèche du P en rouge n sont elles pas eh René !!

[@EricPeronnin]

Non. Ce sont les conventions usuelles pour les PNP.

[@fabientuizat1129]

@@EricPeronnin merci de l info dans quelle doc peut on trouver ces convention graphiques merci d avance passez de bonnes fetes

[@tarrmohamedlamin1793]

Bonsoir, Monsieur vous auriez pas le lien pour le Diapo?

[@EricPeronnin]

Bonjour. Mes présentations se trouvent ici : fr.slideshare.net/PeronninEric

[@UnveilEmpower2023]

Top!

[@EricPeronnin]

Merci

[@zakariaelattaoui4359]

Bonjour est ce que possible de me envouyer ce pdf en gmail ??

[@TheAladdin25]

merci c est tres claire est ce que tu peux me donner le document svp

[@EricPeronnin]

Bonsoir. Je ne fournis pas mes documents mais vous pouvez diffuser l'adresse de la vidéo en revanche. Eric

[@TheAladdin25]

@@EricPeronnin ok merci bcp

[@jojo150393]

L'exemple avec le bs170 est faux. Le vgs th est spécifié a un id donné, ici 1ma. Avec 22ohm, le courant id est de 220ma donc impossible a dire si transistor sera passant ou en tout cas suffisamment passant.

[@jojo150393]

Et je rajouterais que le bs170 ne se commande pas en 5 car il n'est pas spécifié pour 5v.

[@EricPeronnin]

Bonjour. Vous faites erreur et le faites en vous exprimant avec un total manque d'humilité. Votre interprétation de ce qu'est Vgsth est inexacte. Retour à la définition de Vgsth : c'est la valeur de Vgs permettant de commencer à voir apparaître un courant Id. 200mA, c'est plus qu'une apparition et un Vgsth défini pour une telle valeur n'aurait aucun sens. Pour la plupart des MOSFET faible puissance, Vgsth est fourni pour Id=1mA. Pour des MOSFET de moyenne puissance, le courant Id, pour lequel le Vgsth est évalué, est également très faible (exemple : pour un BSZ0589NS d'Infineon de 17A, le Vgsth est fourni pour Id=250uA donc très loin des 17A nominaux). Retour sur le BS170G. Le réseau de caractéristiques Vds=f(Id), Figure 4. On−Region Characteristics, est en fait donné pour la valeur la plus défavorable de Vgsth (3V dans le cas du BS170G) et non pour la valeur typique. Le calcul du point de fonctionnement avec les données de l'exercice montre dans ce cas que le courant de 200mA est obtenu en zone ohmique (donc aucun souci) avec le Vds de la vidéo. Le même réseau pour une valeur de Vgsth plus faible (moins défavorable), par exemple la valeur typique de 2V, conduirait à une élévation de l'ensemble des caractéristiques et donc l'obtention d'une résistance Rds_on plus faible encore à Vgs=5V ou, dit autrement, un point de fonctionnement encore plus favorable à Id > 200mA avec un Vds plus faible. Deux remarques : - si on utilise les caractéristiques Vds=f(Id) comme je l'ai fait, il faut qu'elles soient données pour Vgsth_max. Dans les faits, si vous regardez la datasheet d'un 2N7000, vous constaterez que les courbes à Vgs faibes sont très rapprochées, ce qui explique la large plage de valeurs de Vgsth (max - min) et une incidence moins sensible qu'on l'imagine dans les faits. - quand on travaille sur de l'embarqué avec des tensions d'alimentation faibles voire très faibles (1.8V typiquement lorsque les batteries ont atteint leur limite basse), le choix du MOSFET peut être particulièrement difficile.

[@EricPeronnin]

Spécifié pour 5V ... Vous confondez les MOSFET qualifié de "digital MOSFET" possédant des étages d'entrée pour une commande en 5V avec les transistors MOSFET que rien n'empêche de fonctionner aussi en 5V. Le BS170G peut être commandé en 5V, tout comme il pourrait l'être en 7 ou 10V. Les MOSFET numériques avec étages d'entrée sont conçus pour une commande 5V uniquement. L'intérêt : une plus grande lisibilité pour l'électronicien qui a l'assurance que son composant fonctionnera avec une commande en 5V sans avoir à se poser davantage de question et, en particulier, de se soucier du Vgsth. C'est d'ailleurs l'usage fréquent de ce type de composant qui amène le non spécialiste à méconnaître les MOSFETs. Je pense que vous devriez faire preuve d'un peu d'humilité dans votre façon d'exprimer vos avis car cette dernière remarque sur le niveau de commande du BS170G me montre que vous ne maîtrisez pas totalement ce composant, tout ingénieur que vous soyez.

[@jojo150393]

Effectivement ma reponse etait un peux sèche et je m'en excuse. Cependant, je soutiens encore le faite que le vgsth ne doit pas etre pris sans regarder la valeur du courant id. J'ai trouvé ce site qui en parle : www.sonelec-musique.com/electronique_realisations_interfaces_logique_001 Voir partie sur mosfet. Il existe des transistors fais pour du ttl, alors pourquoi ne pas prendre une valeur sur ? Je ne dis pas que le bs170 ne fonctionnera pas, mais il ne permettra pas une bonne conduction et n'est donc pas un choix approprié pour une commande en ttl avec un "relativement" grand courant.

[@EricPeronnin]

J'ai fait référence aux MOSFET TTL dans la réponse que je vous ai faite. Ce n'était pas l'objet du cours présenté ici qui se veut porter sur les bases du transistor MOSFET. Je n'ai d'ailleurs pas abordé tout ce qui concerne les capacités d'entrée ou de sortie du MOSFET qui constituent la plus grande difficulté pour utiliser les MOSFETs dès que la puissance augmente (même en basse puissance, la capacité d'entrée d'un MOSFET justifie de placer une résistance série de grille pour l'attaquer avec un uC par exemple même si cela se fera au dépend de la vitesse de commutation). Il faut bien voir les bases ... Ma réponse ne remet pas en cause l'utilité de MOSFET TTL mais j'aurais tout aussi bien pu choisir une commande à 0-6V dans le cadre de l'exercice. Maintenant, comme précisé dans mon précédent message, il existe de nombreux cas de figure où les tensions de fonctionnement sont trop faibles pour que les MOSFET TTL soient utilisables. Il faut donc en savoir un peu plus. Si vous regardez les caractéristiques du BS170G, vous constaterez qu'il fonctionnera parfaitement avec le cahier des charges de l'exercice. Si c'était pour faire un inverseur vers du TTL, ce serait différent avec la résistance choisie car on serait très proche des limites des niveaux TTL mais ... on ne prendrait pas une résistance aussi faible et donc aussi dissipative pour une adaptation TTL. L'exemple se borne à montrer comment saturer le MOSFET dans un cas qui peut ressembler à ce qu'on ferait pour la commande d'un relais, cas que je n'ai pas voulu montrer à ce stade car il pose d'autres difficultés. En ce qui concerne la page sonolec. Oui, Vgsth ne doit pas être pris au pied de la lettre. C'est pour cela que je trace le point de fonctionnement dans le plan Vds, Id car dans ce plan. Ici, on fait en fait abstraction de la tension Vgsth. Mon cours ne dit pas qu'on peut prendre Vgsth pour argent comptant et se limiter à cela et c'est pour cette raison qu'on recherche le point de fonctionnement pour s'assurer du fonctionnement en zone ohmique. Le fonctionnement en zone ohmique, c'est Vgs > Vgsth mais aussi Id < Kn.(Vgs - Vgsth)². Il n'y a qu'à partir du réseau de caractéristiques qu'on peut vérifier cette dernière inéquation puisque Kn n'est jamais fourni. J'ai prévu d'ajouter un jour une vidéo pour aller un peu plus loin. Ce serait l'occasion d'aborder les MOSFET TTL, les capacités du MOSFET, les modèles à appauvrissement, la paire complémentaire CMOS. C'est prévu mais cela prend un temps considérable à monter (1 semaine à temps complet pour les 2 vidéos sur le MOSFET présent sur ma chaîne). Pour finir, les étudiants de l'IUT de Nantes disposent d'un cours au format papier où je suis allé plus loin que sur la vidéo.

[@tomselleslagh1565]

un petit plus : videomodel.ecam.be/index.php?name=nmos&level=3be&lang=fr une approche qui rend les choses plus "visuelles"

[@EricPeronnin]

Je reconnais que mon approche n'est pas assez visuelle. La faute au temps qu'il faut pour réaliser des animations qui apporteraient un réel plus. Je ne trouve pas le lien si convaincant par contre. Pour le néophyte et sans explication, cela n'apporte rien. Une simulation sur un simulateur spice en dirait autant.

[@pierredarcos8246]

Bon cours, dommage pour le son

[@EricPeronnin]

Bonsoir. Si vous pouvez préciser, les détails m'intéressent. Cordialement, Eric PERONNIN

[@johnsmith-qn9ql]

@@@EricPeronnin C bizarre mon commentaire a été supprimé, désolé pour la réponse tardive Le son est trop bas, hp à fond pourtant, au moindre bruit faut revenir en arrière pour réécouter

[@EricPeronnin]

Etrange pour le son. Je ne trouve rien d'anormal de mon côté et je n'ai jamais eu ce genre de remarque. Eric

[@johnsmith-qn9ql]

@@@EricPeronnin Ma remarque a été faite au bureau, j'ai de petits haut parleurs qui sont généralement suffisants, mais là en plus y avait du bruit de travaux et des vehicules A la maison j'ai des HP plus puissants et fenetre fermée ça va pas besoin de mettre fort

[@EricPeronnin]

@@johnsmith-qn9ql merci pour cet éclaircissement. J'enregistre maintenant mes vidéos dans une pièce traitée acoustiquement et ce sera encore mieux. Eric

[@dronie8782]

Pour un néophyte c’est très difficile à digérer…

[@lukashofer4873]

il existe sur tout logiciel de montage qui se respecte, une modification du gain, cherchez à avoir le gain le plus haut sans tomber dans la saturation, c'est encore plus simple que les mosfet, mais apparemment pas tout le monde y arrive

[@EricPeronnin]

On peut aussi monter le volume et, dans ce cas, on entend tout de même correctement ce que je dis. Beaucoup de mes vidéos sont faites sans aucun montage. Enfin, j'ai ajouté du gain dernièrement sur OBS pour que l'enregistrement satisfasse aussi les gens pour qui c'était un problème et qui avaient su faire remonter cela de façon plus délicate que vous le faites.

[@cosetteemelie9125]

j'ai pas trouver votre vidéo de transistors bipolaire , est ce que vous pouvez m'aider ?

[@EricPeronnin]

CosetTe Emélie. Bonjour. Je n'ai pas encore mis en ligne de cours sur le bipolaire. Ça viendra un jour mais celui dont je dispose pour le moment, disponible sur mon site geii.eu dans la catégorie Électrique Analogique n'est pas suffisant. Vous pouvez cependant le consulter sous forme de PowerPoint. Sachez qu'il faut plus de 10 jours à temps plein pour réaliser une vidéo, support compris, comme celle du transistor mosfet. Cordialement. Eric PERONNIN

[@EricPeronnin]

Bonjour. J'avais fait une réponse qui n'apparaît plus. Je n'ai pas encore fait de vidéo pour les bipolaires. Il y a un de mes anciens powerpoint dans la section électronique analogique de mon site internet geii.eu . Bipolaires et autres cours viendront un jour, quand j'aurai le temps de les préparer. Pour votre information, le cours sur le transistor mosfet a nécessité plus d'une semaine de travail à temps complet. Cordialement, Eric PERONNIN