Так где же происходит нагрев и каким образом он связан с возникновением обратной эдс?
@UeujkmVeujkm3 ай бұрын
паразитная емкость на стороне дрейн-гейт присутствует в даташите написано. Так же паразитная индуктивность имеется. Они вносят свой вклад
@СергейГоробец-р4с3 ай бұрын
емкость и индуктивность реактивные элементы. Реактивные элементы не могут производить активной работы (нагрев кристалла транзистора). Так почему же он все-таки нагревается?
@UeujkmVeujkm3 ай бұрын
Нагрев вызывается током, чем больше сила тока тем больше нагрев. Утрируя по простому. Емкость (конденсатор) пропускает переменный ток и не пропускает постоянный ток. Индуктивность (катушка) пропускает постоянный ток и не пропускает переменный ток . В случае Мосфета нагрев вызывается сопротивлением Drain-Source. Для Irfp460 Сопротивление drain-source Rds= 0,27 ом при напряжении gate-source Vgs = 10 вольт. Когда паразитная емкость не разряжается полностью, то накопленный потенциал не дает полностью отработать открытие-закрытие ключа, то есть находится не в проводящем режиме, а в полупроводящем. В следствии чего Rds - повышается больше чем 0,27 ом . Это повышенное сопротивление и вызывает нагрев.
@СергейГоробец-р4с3 ай бұрын
@@UeujkmVeujkm Много лишних слов. Прежде чем давать этот материал нужно было рассмотреть режимы работы транзистора. Тогда бы объяснение свелось к указанию того, что из-за медленного разряда емкости затвор-исток переключение транзистора из открытого состояния в закрытое (ключевой режим работы транзистора) происходит с задержкой, в связи с чем транзистор заходит в область активного рабочего режима, характеризуемого повышенным сопротивление сток-исток из-за чего повышается рассеиваемая мощность в канале транзистора и он нагревается.
@UeujkmVeujkm3 ай бұрын
Тафталогия, в самом видео и сказано что паразитная емкость не успевает разрядится из-за резистора gate-source. Другой вопрос в нем не рассматривалось повышения сопротивления Rds. Паразитная емкость имеется между gate-drain и подзаряжается обратной ЭДС что так же вносит свой вклад .